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Demande de soumission |
Aperçu Produitsgaufrette de silicium

JDCD07-001-004 Wafer épitaxial SOI de 7 pouces pour le traitement MEMS

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Certificat
LA CHINE Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certifications
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JDCD07-001-004 Wafer épitaxial SOI de 7 pouces pour le traitement MEMS

JDCD07-001-004 Wafer épitaxial SOI de 7 pouces pour le traitement MEMS
JDCD07-001-004 7 Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS Processing
JDCD07-001-004 Wafer épitaxial SOI de 7 pouces pour le traitement MEMS JDCD07-001-004 Wafer épitaxial SOI de 7 pouces pour le traitement MEMS

Image Grand :  JDCD07-001-004 Wafer épitaxial SOI de 7 pouces pour le traitement MEMS

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Suzhou Chine
Nom de marque: GaNova
Certification: UKAS/ISO9001:2015
Numéro de modèle: JDCD07-001-004
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 25
Délai de livraison: 3-4 jours de la semaine
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 50000pcs/month
Contact

JDCD07-001-004 Wafer épitaxial SOI de 7 pouces pour le traitement MEMS

description de
Diamètre: 7" Orientation: <100>,<111>
Type/dopant: Type de P/bore, type de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb Épaisseur(μm): 300-725
résistivité: 0.001-20000 Ohm-cm Extérieur fini: P/P, P/E
Particule: <10>
Mettre en évidence:

7 pouces SOI plaquette épitaxienne

,

MEMS Traitement des plaquettes épitaxiales SOI

,

Wafer épitaxial SOI

Plaquette épitaxiale SOI de 7 pouces pour le traitement MEMS

 


Aperçu
Une plaquette de silicium est un matériau essentiel à la fabrication de semi-conducteurs, que l'on retrouve dans toutes sortes d'appareils électroniques qui enrichissent nos vies.Peu d'entre nous ont la chance de rencontrer une véritable plaquette de silicium dans la vie quotidienne.
Une plaquette de silicium est une fine tranche de cristal semi-conducteur, tel qu'un matériau constitué de cristal de silicium, qui est de forme circulaire.
 

 

spécification

 

DONC JE
Diamètre 4'' 5'' 6'' 7''

 

 

Couche de périphérique

 Dopant Bore, Phos, Arsenic, Antimoine, Non Dopé
Orientation <100>,<111>
Taper SIMOX, BESOI, Simbond, Smart-cut
Résistivité 0.001-20000 Ohm-cm
Épaisseur (um) 0,2-150
L'uniformité <5 %
Couche BOÎTE Épaisseur (um) 0,4-3
Uniformité <2,5 %

 

 

Substrat

 Orientation <100>, <111>
Type/Dopant Type P/Bore, Type N/Phos, Type N/As, Type N/Sb
Épaisseur (um) 300-725
Résistivité 0.001-20000 Ohm-cm
Surface finie P/P, P/E
Particule <10@.0.3um

 

À propos de nous

Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.

 

 

FAQ

Q : Êtes-vous une société commerciale ou un fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : Combien de temps dure votre délai de livraison ?
Généralement, il est de 3 à 5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, c'est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ?est-ce gratuit ou en supplément ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon gratuitement mais ne payons pas les frais de transport.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <=5000USD, 100% à l'avance.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T à l'avance, solde avant expédition.

 

Produit Tag:

Type gaufrette de N d'epi de silicium,

type substrat de p de silicium,

Gaufrette de silicium de la CZ

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)

À propos

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

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