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Aperçu ProduitsPlaquette Ga2O3

0.6mm 0.8mm Ga2O3 Crystal Substrate Single Polishing simple

Certificat
LA CHINE Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certifications
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0.6mm 0.8mm Ga2O3 Crystal Substrate Single Polishing simple

0.6mm 0.8mm Ga2O3 Crystal Substrate Single Polishing simple
0.6mm 0.8mm Ga2O3 Single Crystal Substrate Single Polishing
0.6mm 0.8mm Ga2O3 Crystal Substrate Single Polishing simple 0.6mm 0.8mm Ga2O3 Crystal Substrate Single Polishing simple

Image Grand :  0.6mm 0.8mm Ga2O3 Crystal Substrate Single Polishing simple

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Suzhou Chine
Nom de marque: GaNova
Certification: UKAS/ISO9001:2015
Numéro de modèle: JDCD04-001-001&002
Conditions de paiement et expédition:
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 6
Délai de livraison: 3-4 jours de la semaine

0.6mm 0.8mm Ga2O3 Crystal Substrate Single Polishing simple

description de
Nom de produit: Crystal Substrate simple Orientation: (201)
Surface polie: Côté simple poli FWHM: <350arcsec>
Ra: ≤0.3nm Épaisseur: 0.6~0.8mm
Mettre en évidence:

Ga2O3 Crystal Substrate simple

,

Gaufrette 0.6mm d'oxyde de gallium

,

0.8mm Crystal Substrate simple

10x10mm2 (- 201) Fe-a enduit les dispositifs optoélectroniquesde polissage simplesde l'épaisseur 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec, du Ra≤0.3 nanomètre de GA2O3 de monocristal de substrat de catégorie libre de produit, les couches d'isolation de matériaux de semi-conducteur, et les filtres UV

Le substrat de nitrure de gallium (GaN) est un substrat monocristallin de haute qualité. Il est fait avec la méthode originale de HVPE et la technologie transformatrice de gaufrette, qui a été à l'origine développée depuis de nombreuses années. Les caractéristiques sont uniformité cristalline et bonne élevée, et qualité extérieure supérieure.

Le but de cet examen est de récapituler des avances récentes dans la représentation de croissance, de traitement et de dispositif du polymorphe le plus largement étudié, β-GA2 O3. Le rôle des défauts et les impuretés sur le transport et les propriétés optiques du volume, le matériel épitaxial et de nanostructures, la difficulté dans le dopage de type p et le développement des techniques de traitement comme gravure à l'eau-forte, la formation de contact, les diélectriques pour la formation de porte et la passivation sont discutés.

Substrat de nitrure de gallium--Niveau de produit
Dimensions 10*15mm 10*10mm
Épaisseur 0.6~0.8mm
Orientation (201)
Dopage Fe Sn
Surface polie Côté simple poli
Resistivity/Nd-Na / <9e18>
FWHM <350arcsec>
Ra ≤0.3nm
Paquet Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, sous une atmosphère d'azote

Au sujet de nous

Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.

FAQ

Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
Généralement c'est de 3-5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est de 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, il est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <> >=5000USD, 80% T/T de paiement à l'avance, équilibre avant expédition.

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

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