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Aperçu Produitsgaufrette de silicium

Traitement de JDCD07-001-003 6-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS

Certificat
LA CHINE Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certifications
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Traitement de JDCD07-001-003 6-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS

Traitement de JDCD07-001-003 6-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS
Traitement de JDCD07-001-003 6-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS

Image Grand :  Traitement de JDCD07-001-003 6-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Suzhou Chine
Nom de marque: GaNova
Certification: UKAS/ISO9001:2015
Numéro de modèle: JDCD07-001-003
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 25
Délai de livraison: 3-4 jours de la semaine
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 50000pcs/month

Traitement de JDCD07-001-003 6-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS

description de
Orientation: <100>,<111> Type/dopant: Type de P/bore, type de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Épaisseur(μm): 300-725 résistivité: 0.001-20000 Ohm-cm
Extérieur fini: P/P, P/E Particule: <10>
Mettre en évidence:

MEMS Traitement des plaquettes épitaxiales SOI

gaufrette épitaxiale de 6-inch SOI pour le traitement de MEMS


Aperçu

Dans l'électronique, les gaufrettes de silicium (également connues sous le nom de substrats) sont les tranches minces du silicium cristallin fortement pur (c-SI), utilisées dans la production d'intégrer - des circuits - un composé de plusieurs composants électroniques. Les gaufrettes de silicium jouent une part importante dans l'industrie de semi-conducteur pendant qu'elles trouvent leur application dans l'électronique et des dispositifs micromécaniques.

Spécifications

SOI
Diamètre 4' “ 5' “ 6' “ 7' “

Couche de dispositif

Dopant Bore, Phos, arsenic, antimoine, non dopé
Orientation <100>,<111>
Type SIMOX, BESOI, Simbond, Smart-coupe
Résistivité 0.001-20000 Ohm-cm
Épaisseur (um) 0.2-150
L'uniformité <5>
Couche de BOÎTE Épaisseur (um) 0.4-3
Uniformité <2>

Substrat

Orientation <100>, <111>
Type/dopant Type de P/bore, type de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Épaisseur (um) 300-725
Résistivité 0.001-20000 Ohm-cm
Extérieur fini P/P, P/E
Particule <10>

Au sujet de nous

Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.

FAQ

Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
Généralement c'est de 3-5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est de 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, il est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <> >=5000USD, 80% T/T de paiement à l'avance, équilibre avant expédition.

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

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