4" résistivité en cristal de carbure de silicium de catégorie de P 0.015ohm.cm à 0.028ohm.cm

4" Résistivité en cristal de graine de SiC de catégorie de P 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm

SiC Graine Cristal 4" PGrade

Le SiC est un excellent conducteur thermique.La chaleur circulera plus facilement à travers le SiC que les autres matériaux semi-conducteurs.En fait, à température ambiante, le SiC a une conductivité thermique plus élevée que n'importe quel métal.Cette propriété permet aux dispositifs SiC de fonctionner à des niveaux de puissance extrêmement élevés tout en dissipant les grandes quantités de chaleur excédentaire générées.

À propos de nous

Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.

FAQ

Q : Êtes-vous une société commerciale ou un fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : Combien de temps dure votre délai de livraison ?
Généralement, il est de 3 à 5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, c'est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ?est-ce gratuit ou en supplément ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon gratuitement mais ne payons pas les frais de transport.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <=5000USD, 100% à l'avance.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T à l'avance, solde avant expédition.