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Aperçu ProduitsCristal de carbure de silicium

4H Politype Crystal Silicon Carbide simple 4" visage de la catégorie SI de P

Certificat
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4H Politype Crystal Silicon Carbide simple 4" visage de la catégorie SI de P

4H Politype Crystal Silicon Carbide simple 4" visage de la catégorie SI de P
4H Politype Crystal Silicon Carbide simple 4" visage de la catégorie SI de P

Image Grand :  4H Politype Crystal Silicon Carbide simple 4" visage de la catégorie SI de P

Détails sur le produit:
Numéro de modèle: JDZJ01-001-001
Conditions de paiement et expédition:
Détails d'emballage: Emballé dans une salle blanche dans un conteneur de graines unique
Délai de livraison: 3-4 jours de la semaine

4H Politype Crystal Silicon Carbide simple 4" visage de la catégorie SI de P

description de
Politype: 4h Diamètre: 100.0mm±0.5mm
Orientation: 4.0°±0.2° Orientation plate primaire: {10-10} ±5.0°
Longueur plate primaire: 32,5 mm ± 2,0 mm Orientation plate secondaire: SI-visage : 90°cw.from flat±5° primaire
Mettre en évidence:

carbure de silicium de monocristal 4"

,

Type carbure de N de silicium cristallin

,

visage du carbure de silicium de monocristal SI

JDZJ01-001-001 sèment sic le cristal 4" le SI-visage 90°Cw.From Flat±5° primaire de catégorie de P

Semez sic le cristal 4" PGrade

Les propriétés physiques et électroniques de sic lui faire le premier matériel de semi-conducteur pour appareils électroniques optoélectroniques, à hautes températures, résistants aux radiations, et de haute puissance/à haute fréquence à ondes courtes.

sic caractéristiques du lingot 6inch
Catégorie Catégorie de production Catégorie factice
Politype 4H
Diamètre 100.0mm±0.5mm
Type de transporteur de type n
Résistivité 0.015~0.028ohm.cm
Orientation 4.0°±0.2°
Orientation plate primaire {10-10} ±5.0°
Longueur plate primaire 32.5mm±2.0mm
Orientation plate secondaire SI-visage : 90°cw.from flat±5° primaire
Longueur plate secondaire 18.0mm±2.0mm
Fissures de bord par la lumière de forte intensité ≤1mm en radial ≤3mm en radial
Plats de sortilège par la lumière de forte intensité Size<1mm, area<1% cumulatif Area<5% cumulatif
Régions de Polytype par la lumière de forte intensité Aucun ≤5%area
Densité de MicroPipe Il est essai destructif. Si n'importe quel désaccord, les échantillons pour le contre-essai de fournisseur est fourni par le client.

Il est essai destructif. Si n'importe quel désaccord, les échantillons pour le contre-essai de fournisseur est fourni par le client.

Puce de bord ≤1 avec la longueur maximale et la largeur 1 millimètre ≤3 avec la longueur maximale et la largeur 3 millimètres

Au sujet de nous

Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.

FAQ

Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
Généralement c'est de 3-5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est de 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, il est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <> >=5000USD, 80% T/T de paiement à l'avance, équilibre avant expédition.

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

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