Aperçu Produitssilicon carbide crystal p grade fabricant en ligne

Tous les produits

GaN Epitaxial Wafer
(61)

Gaufrette sic épitaxiale
(28)

GaAs Epi Wafer
(15)

Substrats de diamant CVD
(15)

Système de recuit thermique rapide
(2)

Testeur de capteur à effet Hall
(3)

Gaufrette de nitrure en aluminium
(21)

Puce de diode laser
(10)

Cristal de carbure de silicium
(12)

Plaquette Ga2O3
(13)

gaufrette de silicium
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Sapphire Substrates modelée
(10)

Support de gaufrette de téflon
(1)

Machine à découper les plaquettes
(5)

Certificat

Je suis en ligne une discussion en ligne

silicon carbide crystal p grade fabrication en ligne

(25)

cristal 4" de carbure de silicium de 100.0mm catégorie Politype 4H de P
Contact

2022-10-09 10:12:00

4" résistivité en cristal de carbure de silicium de catégorie de P 0.015ohm.cm à 0.028ohm.cm
Contact

2022-09-27 17:35:24

4H Politype Crystal Silicon Carbide simple 4" visage de la catégorie SI de P
Contact

2022-09-27 17:01:35

0.015ohm.cm à 0.028ohm.cm Type de cristal de carbure de silicium N
Contact

2022-09-27 17:01:16

cristal 4" de carbure de silicium de 100.0mm catégorie 18.0mm de P
Contact

2022-09-27 17:01:26

Cristal plat primaire 4" de carbure de silicium de la longueur 32.5mm catégorie 100.0mm de P
Contact

2022-09-27 17:01:05

niveau P de substrat de carbure de silicium de 260μm pour des dispositifs de puissance et des dispositifs à micro-ondes
Contact

2023-02-17 17:14:50

Substrat en carbure de silicium de type N 6 pouces 4H longueur plate primaire 47,5 mm
Contact

2022-10-24 10:22:34

6 pouces 4H SiC Substrat N Type P SBD Grade 350μm
Contact

2022-10-24 10:23:04

Substrat SiC de niveau P de 2 pouces pour les appareils électriques et les appareils à micro-ondes
Contact

2023-02-17 15:30:04

Page 1 of 3|< << 1 2 3 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

Substrats de diamant CVD

Système de recuit thermique rapide

Testeur de capteur à effet Hall

Gaufrette de nitrure en aluminium

Puce de diode laser

Cristal de carbure de silicium

Plaquette Ga2O3

gaufrette de silicium

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modelée

Support de gaufrette de téflon

Machine à découper les plaquettes

silicon carbide crystal p grade fabrication en ligne

cristal 4" de carbure de silicium de 100.0mm catégorie Politype 4H de P
Contact

4" résistivité en cristal de carbure de silicium de catégorie de P 0.015ohm.cm à 0.028ohm.cm
Contact

4H Politype Crystal Silicon Carbide simple 4" visage de la catégorie SI de P
Contact

0.015ohm.cm à 0.028ohm.cm Type de cristal de carbure de silicium N
Contact

cristal 4" de carbure de silicium de 100.0mm catégorie 18.0mm de P
Contact

Cristal plat primaire 4" de carbure de silicium de la longueur 32.5mm catégorie 100.0mm de P
Contact

niveau P de substrat de carbure de silicium de 260μm pour des dispositifs de puissance et des dispositifs à micro-ondes
Contact

Substrat en carbure de silicium de type N 6 pouces 4H longueur plate primaire 47,5 mm
Contact

6 pouces 4H SiC Substrat N Type P SBD Grade 350μm
Contact

Substrat SiC de niveau P de 2 pouces pour les appareils électriques et les appareils à micro-ondes
Contact

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal