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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrats de diamant CVD
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Système de recuit thermique rapide
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Gaufrette de nitrure en aluminium
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Support de gaufrette de téflon
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silicon carbide crystal p grade fabrication en ligne

(25)

6 pouces 4H SiC Substrat N Type P SBD Grade 350μm
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2022-10-24 10:23:04

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal
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2022-10-24 10:26:24

gaufrette sic épitaxiale de 150.0mm +0mm/-0.2mm aucun appartement secondaire 3mm
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2024-10-29 11:49:58

6inch N Type Wafer P MOS Grade 4H SiC Substrat 350.0 ± 25.0um
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2022-10-24 10:21:10

Plaquette épitaxiale SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm
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2022-10-24 10:23:40

Polytype Non autorisé Plaquette épitaxiale SiC P-MOS P-SBD Grade D
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2024-10-29 11:49:58

Niveau P 260μm de gaufrette de semi-conducteur de 2 pouces pour des dispositifs à micro-ondes de dispositifs de puissance
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2022-10-24 10:25:55

4H gaufrette sic épitaxiale ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm
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2024-10-29 11:49:58

47,5 millimètres de ± gaufrette sic épitaxiale 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallèle de 1,5 millimètres
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2024-10-29 11:49:58

gaufrette sic épitaxiale 6inch
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2022-10-09 16:56:20

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Gaufrette sic épitaxiale

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gaufrette sic épitaxiale 6inch
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal