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Aperçu ProduitsGaAs Epi Wafer

VGF 2inch GaAs Epi Wafer Substrats non dopés côté poli gravé à l'eau-forte

Certificat
LA CHINE Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certifications
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VGF 2inch GaAs Epi Wafer Substrats non dopés côté poli gravé à l'eau-forte

VGF 2inch GaAs Epi Wafer Substrats non dopés côté poli gravé à l'eau-forte
VGF 2inch GaAs Epi Wafer Substrats non dopés côté poli gravé à l'eau-forte

Image Grand :  VGF 2inch GaAs Epi Wafer Substrats non dopés côté poli gravé à l'eau-forte

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Suzhou Chine
Nom de marque: GaNova
Certification: UKAS/ISO9001:2015
Numéro de modèle: JDCD10-001-002
Conditions de paiement et expédition:
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 25
Délai de livraison: 3-4 jours de la semaine
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 10000pcs/Month

VGF 2inch GaAs Epi Wafer Substrats non dopés côté poli gravé à l'eau-forte

description de
Nom de produit: 2 pouces GaAs (100) Substrats non dopés Méthode de croissance: VGF
Angle d'orientation: DE Orientation: EJ[0-1-1]±0.5°
DE Longueur (mm): 17±1 SI Orientation: EJ[0-11]±0.5°
Mettre en évidence:

VGF GaAs Epi Wafer

,

gaas wafer épaisseur 350um

,

GaAs Epi Wafer Side poli

2 pouces GaAs (100) Substrats non dopés

 

Aperçu

L'arséniure de gallium d'une plaquette GaAs a pour attribut de générer de la lumière laser à partir de l'électricité de manière directe.Il existe deux types de GaAs Wafer ;polycristallin et monocristallin.Ces plaquettes sont utilisées dans la production de microélectronique et d'optoélectronique afin de fabriquer des LED, des circuits micro-ondes et des LD.Il est également déployé dans les panneaux solaires.

 

Plaquette GaAs-Si

Méthode de croissance

VGF
Type de conduite RCS
Dopant GaAs-Si
Orientation (100)15°±0.5° Off Vers<111>A
Angle d'orientation
DE Orientation EJ[0-1-1]±0.5°
DE Longueur (mm) 17±1
SI Orientation EJ[0-11]±0.5°
SI Longueur(mm) 7±1
Diamètre(mm) 50,8±0,2
CC(/cc) 0.4E18~1E18
Résistivité(ohm.cm) N / A
Mobilité(cm2/contre) ≥1000
DEP(/cm2) ≤5000
Épaisseur (um) 350±20
TTV (euh) <10
TTR(um) <10
Arc (euh) <15
Déformer (euh) <15
Surface Side1 :Poli Side2 :Gravé
Emballage Cassette ou simple

 

 

À propos de nous

Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.

 

FAQ

Q : Êtes-vous une société commerciale ou un fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : Combien de temps dure votre délai de livraison ?
Généralement, il est de 3 à 5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, c'est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ?est-ce gratuit ou en supplément ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon gratuitement mais ne payons pas les frais de transport.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <=5000USD, 100% à l'avance.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T à l'avance, solde avant expédition.

 

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

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