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Détails sur le produit:
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| Méthode de croissance: | VGF | Type de conduite: | S-C-N |
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| Nom de produit: | GaAs (100) Substrats non dopés | Dopant: | GaAs-Si |
| Angle d'orientation: | 0° | DE Orientation: | EJ[0-1-1]±0.5° |
| Mettre en évidence: | GaAs Epi Wafer Substrats non dopés,GaAs-Si Wafer 2 pouces,GaAs Epi Wafer 2 pouces |
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GaAs-Si Wafer 2 pouces GaAs (100) Substrats non dopés EJ[0-1-1]±0,5°
Aperçu
Les applications GaAs couvrent une grande variété de transistors pour l'industrie couvrant la communication par fibre optique, les réseaux sans fil (WLAN), les combinés mobiles, les communications Bluetooth, les communications par satellite, les circuits intégrés micro-ondes monolithiques (MMIC) pour la 5G, ainsi que les circuits intégrés radiofréquence (RFIC ).
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Plaquette GaAs-Si |
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Méthode de croissance |
VGF |
| Type de conduite | RCS |
| Dopant | GaAs-Si |
| Orientation | (100)15°±0.5° Off Vers<111>A |
| Angle d'orientation | 0° |
| DE Orientation | EJ[0-1-1]±0.5° |
| DE Longueur (mm) | 17±1 |
| SI Orientation | EJ[0-11]±0.5° |
| SI Longueur(mm) | 7±1 |
| Diamètre(mm) | 50,8±0,2 |
| CC(/cc) | 0.4E18~1E18 |
| Résistivité(ohm.cm) | N / A |
| Mobilité(cm2/contre) | ≥1000 |
| DEP(/cm2) | ≤5000 |
| Épaisseur (um) | 350±20 |
| TTV (euh) | <10 |
| TTR(um) | <10 |
| Arc (euh) | <15 |
| Déformer (euh) | <15 |
| Surface | Side1 :Poli Side2 :Gravé |
| Emballage | Cassette ou simple |
À propos de nous
Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.
FAQ
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Nous sommes usine.
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