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GaN Epitaxial Wafer
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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrats de diamant CVD
(15)

Système de recuit thermique rapide
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Testeur de capteur à effet Hall
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Gaufrette de nitrure en aluminium
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Puce de diode laser
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Cristal de carbure de silicium
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Plaquette Ga2O3
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gaufrette de silicium
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Sapphire Wafer
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Sapphire Substrates modelée
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Support de gaufrette de téflon
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Machine à découper les plaquettes
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semiconductor gallium arsenide wafer fabrication en ligne

(10)

Composé semi-conducteur 2 pouces GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS
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2022-09-27 17:18:19

substrats non dopés VGF S-C-N de la gaufrette 2inch GaAs de 18mm GaAs SI
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2022-10-09 09:53:40

Wafer épitaxial GaN essentiel pour la production de puces haute tension haute fréquence
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2024-12-06 17:47:04

GaN de type N de 2 ¢ 6 pouces sur une gaufre épitaxiale en saphir pour un dispositif de numérotation laser LED
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2024-12-06 17:48:43

Niveau P 260μm de gaufrette de semi-conducteur de 2 pouces pour des dispositifs à micro-ondes de dispositifs de puissance
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2022-10-24 10:25:55

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC plaquette épitaxiale 4H forme cristalline
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2022-10-24 10:20:57

Plaquette épitaxiale SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm
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2022-10-24 10:23:40

6inch N Type Wafer P MOS Grade 4H SiC Substrat 350.0 ± 25.0um
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2022-10-24 10:21:10

JDCD10-001-002 2 pouces GaAs (100) Substrats dopés Si
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2022-10-09 09:52:57

Système de recuit RTP-SA-8 pour le traitement thermique rapide de la production
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2024-12-06 17:48:00

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GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

Substrats de diamant CVD

Système de recuit thermique rapide

Testeur de capteur à effet Hall

Gaufrette de nitrure en aluminium

Puce de diode laser

Cristal de carbure de silicium

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Composé semi-conducteur 2 pouces GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS
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150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC plaquette épitaxiale 4H forme cristalline
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Plaquette épitaxiale SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm
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6inch N Type Wafer P MOS Grade 4H SiC Substrat 350.0 ± 25.0um
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JDCD10-001-002 2 pouces GaAs (100) Substrats dopés Si
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Système de recuit RTP-SA-8 pour le traitement thermique rapide de la production
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal