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Aperçu Produitssemiconductor gallium arsenide wafer fabricant en ligne
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semiconductor gallium arsenide wafer fabrication en ligne

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acheter Composé semi-conducteur 2 pouces GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS en ligne fabricant

Composé semi-conducteur 2 pouces GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS
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GaAs-Si Wafer 2inch GaAs (100) Undoped Substrates (100)15°±0.5° Off TowardA Overview Gallium arsenide (chemical formula GaAs) is a semiconductor compound used in some diode s, field-effect transistor s (FETs), ... Lire la suite
2022-09-27 17:18:19
acheter substrats non dopés VGF S-C-N de la gaufrette 2inch GaAs de 18mm GaAs SI en ligne fabricant

substrats non dopés VGF S-C-N de la gaufrette 2inch GaAs de 18mm GaAs SI
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2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and ... Lire la suite
2022-10-09 09:53:40
acheter Wafer épitaxial GaN essentiel pour la production de puces haute tension haute fréquence en ligne fabricant

Wafer épitaxial GaN essentiel pour la production de puces haute tension haute fréquence
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Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... Lire la suite
2024-12-06 17:47:04
acheter GaN de type N de 2 ¢ 6 pouces sur une gaufre épitaxiale en saphir pour un dispositif de numérotation laser LED en ligne fabricant

GaN de type N de 2 ¢ 6 pouces sur une gaufre épitaxiale en saphir pour un dispositif de numérotation laser LED
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Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... Lire la suite
2024-12-06 17:48:43
acheter Niveau P 260μm de gaufrette de semi-conducteur de 2 pouces pour des dispositifs à micro-ondes de dispositifs de puissance en ligne fabricant

Niveau P 260μm de gaufrette de semi-conducteur de 2 pouces pour des dispositifs à micro-ondes de dispositifs de puissance
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JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview The unique electronic and thermal properties of silicon carbide (SiC) make it ideally suited for ... Lire la suite
2022-10-24 10:25:55
acheter 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC plaquette épitaxiale 4H forme cristalline en ligne fabricant

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC plaquette épitaxiale 4H forme cristalline
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150.0 mm +0mm/-0.2mm Sic Epitaxial Wafer Off-Axis:4°Toward ±0.5 ° JDCD03-001-004 Overview A SiC wafer is a semiconductor made of silicon. Its flatness, thermal conductivity, and electrical conductivity make it ... Lire la suite
2022-10-24 10:20:57
acheter Plaquette épitaxiale SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm en ligne fabricant

Plaquette épitaxiale SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm
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150.0mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 SiC Epitaxial Wafer 47.5 mm ± 1.5 mm Overview Because SiC has a high thermal conductivity, SiC dissipates heat more rapidly than other semiconductor materials. This enables ... Lire la suite
2022-10-24 10:23:40
acheter 6inch N Type Wafer P MOS Grade 4H SiC Substrat 350.0 ± 25.0um en ligne fabricant

6inch N Type Wafer P MOS Grade 4H SiC Substrat 350.0 ± 25.0um
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6inch 4H-SiC substrate N-Type P-MOS Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.2/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC is used for the fabrication of very high-voltage and high-power ... Lire la suite
2022-10-24 10:21:10
acheter JDCD10-001-002 Substrats dopés au Si (100) GaAs de 2 pouces en ligne fabricant

JDCD10-001-002 Substrats dopés au Si (100) GaAs de 2 pouces
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2inch GaAs (100) Si-doped substrates Overview GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and ... Lire la suite
2025-04-27 11:43:51
acheter Système de recuit RTP-SA-8 pour le traitement thermique rapide de la production en ligne fabricant

Système de recuit RTP-SA-8 pour le traitement thermique rapide de la production
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1.Basic configuration of equipment system 1.1outline The Rapid Thermal Processing is a vertical semi-automatic 8-inch wafer rapid annealing furnace, which uses two layers of infrared halogen lamps as heat ... Lire la suite
2024-12-06 17:48:00
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal

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