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Détails sur le produit:
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Nom de produit: | GaAs (100) Substrats non dopés | Méthode de croissance: | VGF |
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Type de conduite: | S-C-N | Dopant: | GaAs-Si |
DE Orientation: | EJ[0-1-1]±0.5° | SI Orientation: | EJ[0-11]±0.5° |
Mettre en évidence: | Substrats non dopés de VGF,Substrats S-C-N de GaAs,Substrats non dopés de GaAs |
100) substrats non dopés de 2inch GaAs ((100) 15°±0.5° outre de TowardA<111>
100) substrats non dopés de 2inch GaAs (
Aperçu
La GaAs est un matériel de semi-conducteur avec d'excellentes caractéristiques de fonctionnement comprenant l'espace de bande direct, la mobilité des électrons élevée, l'efficacité de conversion à faible bruit et et élevée à haute fréquence.
Gaufrette GaAs-SI |
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Méthode de croissance |
VGF |
Type de conduite | S-C-N |
Dopant | GaAs-SI |
Orientation | (100) 15°±0.5° outre de TowardA<111> |
Angle d'orientation | 0° |
De l'orientation | EJ [0-1-1] ±0.5° |
De la longueur (millimètres) | 17±1 |
SI orientation | EJ [0-11] ±0.5° |
SI longueur (millimètres) | 7±1 |
Diamètre (millimètres) | 50.8±0.2 |
Cc (/c.c.) | 0.4E18~1E18 |
Résistivité (ohm.cm) | NON-DÉTERMINÉ |
Mobilité (cm2/v.s) | ≥1000 |
EPD (/cm2) | ≤5000 |
Épaisseur (um) | 350±20 |
TTV (um) | <10> |
TTR (um) | <10> |
Cintrez (um) | <15> |
Déformez (um) | <15> |
Surface | Side1 : Side2 poli : Gravé à l'eau-forte |
Emballage | Cassette ou simple |
Au sujet de nous
Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.
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Paiement <>
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Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)
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