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Aperçu Produitsgaufrette de silicium

Type type Phos de la gaufrette de silicium de 12 pouces P du bore N

Certificat
LA CHINE Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certifications
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Type type Phos de la gaufrette de silicium de 12 pouces P du bore N

Type type Phos de la gaufrette de silicium de 12 pouces P du bore N
Type type Phos de la gaufrette de silicium de 12 pouces P du bore N

Image Grand :  Type type Phos de la gaufrette de silicium de 12 pouces P du bore N

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Suzhou Chine
Nom de marque: GaNova
Certification: UKAS/ISO9001:2015
Numéro de modèle: JDCD06-001-007
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 25
Délai de livraison: 3-4 jours de la semaine
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 50000pcs/month

Type type Phos de la gaufrette de silicium de 12 pouces P du bore N

description de
Diamètre: 12" Catégorie: Principal
Méthode de croissance: LA CZ Orientation: <1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Épaisseur(μm): 775 résistivité: 0.001-100 ohm-cm
Extérieur fini: P/E, P/P, E/E, G/G Particule: <10>
Mettre en évidence:

Gaufrette de silicium de 12 pouces

,

Gaufrette du semi-conducteur SI de bore

,

Type gaufrette de P de silicium

Type de gaufrette de silicium/type du dopant P/bore, type de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb

dispositifs de deux pouces de la gaufrette de silicium MEMS, circuits intégrés, substrats consacrés pour les dispositifs discrets


Aperçu

Toutes sortes d'innovation technologique ont permis le développement évolutionnaire des appareils électroniques, qui se sont ajoutés incalculablement à nos vies et ont considérablement facilité le progrès culturel.
Quelques produits sont consécutif devenus plus petits, et d'autres plus grands ; un certain allumeur, un certain plus fort, quelque plus rapidement.

Spécifications

gaufrette de silicium

Diamètre

2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"

Catégorie Principal
Méthode de croissance LA CZ
Orientation <1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Type/dopant Type de P/bore, type de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Épaisseur (μm)

279/380/525/625/675/725/775

Tolérance d'épaisseur ± standard 25μm, ± maximum 5μm de Capabilit/IES
Résistivité 0.001-100 ohm-cm
Extérieur fini P/E, P/P, E/E, G/G
TTV (μm) Norme <10>
Arc/chaîne Norme <40>
Particule <10>

Au sujet de nous

Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.

FAQ

Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
Généralement c'est de 3-5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est de 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, il est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <> >=5000USD, 80% T/T de paiement à l'avance, équilibre avant expédition.

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

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