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gaufrette de silicium

LA CHINE gaufrette de silicium

Dispositifs discrets épaisseur de plaquette de silicium de 2 pouces 675um 725um 775um

Diamètre:2"

Catégorie:Principal

Méthode de croissance:LA CZ
775um 725um 675um dispositifs de semi-conducteur de gaufrette de 8 pouces

Diamètre:2"

Catégorie:Principal

Méthode de croissance:LA CZ
2" épaisseur 279μm de gaufrette de silicium de semi-conducteur

Diamètre:2"

Orientation:<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

Type/dopant:Type de P/bore, type de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Dispositifs MEMS Substrats de silicium Circuits intégrés dédiés

Diamètre:2"

Catégorie:Principal

Méthode de croissance:LA CZ
JDCD06-001-007 Wafer de silicium de 12 pouces Dispositifs MEMS Circuits intégrés Substrats dédiés pour les dispositifs discrets

Diamètre:12"

Catégorie:Principal

Méthode de croissance:LA CZ
JDCD06-001-006 Dispositifs MEMS à plaquettes de silicium de 8 pouces Circuits intégrés Substrats dédiés pour dispositifs discrets

Diamètre:8"

Catégorie:Principal

Méthode de croissance:LA CZ
JDCD06-001-005 Wafer de silicium de 6 pouces Dispositifs MEMS Circuits intégrés Substrats dédiés pour dispositifs discrets

Diamètre:6"

Catégorie:Principal

Méthode de croissance:LA CZ
JDCD06-001-004 Wafer de silicium de 5 pouces Dispositifs MEMS Circuits intégrés Substrats dédiés pour les dispositifs discrets

Diamètre:5"

Catégorie:Principal

Méthode de croissance:LA CZ
JDCD07-001-004 Wafer épitaxial SOI de 7 pouces pour le traitement MEMS

Diamètre:7"

Orientation:<100>,<111>

Type/dopant:Type de P/bore, type de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
JDCD07-001-002 Wafer épitaxial SOI de 5 pouces pour le traitement MEMS

Orientation:<100>,<111>

Type/dopant:Type de P/bore, type de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb

L'uniformité:<5>
JDCD07-001-001 Plaquette épitaxiale SOI de 4 pouces pour le traitement MEMS

Diamètre:4"

Orientation:<100>,<111>

Type/dopant:Type de P/bore, type de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
JDCD06-001-003 Dispositifs MEMS de plaquette de silicium de 4 pouces, circuits intégrés, substrats dédiés pour dispositifs discrets

Diamètre:4"

Catégorie:Principal

Méthode de croissance:LA CZ

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gaufrette de silicium

LA CHINE gaufrette de silicium

Dispositifs discrets épaisseur de plaquette de silicium de 2 pouces 675um 725um 775um

775um 725um 675um dispositifs de semi-conducteur de gaufrette de 8 pouces

2" épaisseur 279μm de gaufrette de silicium de semi-conducteur

Dispositifs MEMS Substrats de silicium Circuits intégrés dédiés

JDCD06-001-007 Wafer de silicium de 12 pouces Dispositifs MEMS Circuits intégrés Substrats dédiés pour les dispositifs discrets

JDCD06-001-006 Dispositifs MEMS à plaquettes de silicium de 8 pouces Circuits intégrés Substrats dédiés pour dispositifs discrets

JDCD06-001-005 Wafer de silicium de 6 pouces Dispositifs MEMS Circuits intégrés Substrats dédiés pour dispositifs discrets

JDCD06-001-004 Wafer de silicium de 5 pouces Dispositifs MEMS Circuits intégrés Substrats dédiés pour les dispositifs discrets

JDCD07-001-004 Wafer épitaxial SOI de 7 pouces pour le traitement MEMS

JDCD07-001-002 Wafer épitaxial SOI de 5 pouces pour le traitement MEMS

JDCD07-001-001 Plaquette épitaxiale SOI de 4 pouces pour le traitement MEMS

JDCD06-001-003 Dispositifs MEMS de plaquette de silicium de 4 pouces, circuits intégrés, substrats dédiés pour dispositifs discrets

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal