Aperçu Produitsside polished ga2o3 wafer fabricant en ligne

Tous les produits

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Gaufrette sic épitaxiale
(30)

GaAs Epi Wafer
(15)

Substrats de diamant CVD
(15)

Système de recuit thermique rapide
(2)

Testeur de capteur à effet Hall
(3)

Gaufrette de nitrure en aluminium
(21)

Puce de diode laser
(10)

Cristal de carbure de silicium
(12)

Plaquette Ga2O3
(13)

gaufrette de silicium
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Sapphire Substrates modelée
(10)

Support de gaufrette de téflon
(1)

Machine à découper les plaquettes
(5)

Certificat

Je suis en ligne une discussion en ligne

side polished ga2o3 wafer fabrication en ligne

(13)

Ga2O3 gaufrette polie latérale simple Crystal Substrate simple
Contact

2024-10-29 11:49:58

Épaisseur monocristalline polie latérale simple de substrat de Ga2O3 0.6mm 0.8mm
Contact

2023-02-17 14:30:35

Gaufrette Crystal Substrate Thickness simple de FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm à 0.8mm
Contact

2023-02-17 14:17:37

Substrat monocristallin 10x10mm2 de galette de Ga2O3 de dopage de Sn
Contact

2024-10-29 11:49:58

10x15mm2 UID a dopé le polissage simple debout libre de galette de Ga2O3
Contact

2022-09-27 16:57:32

gaufrette Ga2O3 10x15mm Crystal Substrate de 10x10mm simple
Contact

2022-09-27 16:57:06

Ga2O3 Fe a dopé la position libre du substrat monocristallin de gaufrette 10x10mm2
Contact

2022-10-09 10:34:19

Plaquette épitaxiale monocristalline de Ra 0.3nm Ga2O3 2 pouces 4 pouces
Contact

2023-02-17 14:34:04

0.6mm 0.8mm Ga2O3 Crystal Substrate Single Polishing simple
Contact

2024-10-29 11:49:58

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-a enduit le polonais simple simple libre de Ga2O3 Crystal Substrate Product Grade
Contact

2022-10-09 10:30:00

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

Substrats de diamant CVD

Système de recuit thermique rapide

Testeur de capteur à effet Hall

Gaufrette de nitrure en aluminium

Puce de diode laser

Cristal de carbure de silicium

Plaquette Ga2O3

gaufrette de silicium

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modelée

Support de gaufrette de téflon

Machine à découper les plaquettes

side polished ga2o3 wafer fabrication en ligne

Ga2O3 gaufrette polie latérale simple Crystal Substrate simple
Contact

Épaisseur monocristalline polie latérale simple de substrat de Ga2O3 0.6mm 0.8mm
Contact

Gaufrette Crystal Substrate Thickness simple de FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm à 0.8mm
Contact

Substrat monocristallin 10x10mm2 de galette de Ga2O3 de dopage de Sn
Contact

10x15mm2 UID a dopé le polissage simple debout libre de galette de Ga2O3
Contact

gaufrette Ga2O3 10x15mm Crystal Substrate de 10x10mm simple
Contact

Ga2O3 Fe a dopé la position libre du substrat monocristallin de gaufrette 10x10mm2
Contact

Plaquette épitaxiale monocristalline de Ra 0.3nm Ga2O3 2 pouces 4 pouces
Contact

0.6mm 0.8mm Ga2O3 Crystal Substrate Single Polishing simple
Contact

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-a enduit le polonais simple simple libre de Ga2O3 Crystal Substrate Product Grade
Contact

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal