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Le type prêt miroir d'EPI Sapphire Substrate Wafer Edge R a poli

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Le type prêt miroir d'EPI Sapphire Substrate Wafer Edge R a poli

Le type prêt miroir d'EPI Sapphire Substrate Wafer Edge R a poli
Le type prêt miroir d'EPI Sapphire Substrate Wafer Edge R a poli

Image Grand :  Le type prêt miroir d'EPI Sapphire Substrate Wafer Edge R a poli

Détails sur le produit:
Numéro de modèle: JDCD08-001-001
Conditions de paiement et expédition:
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 25
Conditions de paiement: T/T

Le type prêt miroir d'EPI Sapphire Substrate Wafer Edge R a poli

description de
Orientation extérieure: Un-avion (11-20) Matériel: Grande pureté Al2O3 (>99.995%)
Épaisseur: 430 ±10μm R-avion: R9
Diamètre: 50,8 ±0.10 Bord de gaufrette: de type r
Mettre en évidence:

EPI Sapphire Substrate prête

,

gaufrette polie double par côté 430um

,

Sapphire Substrate Mirror Polished

Le miroir de type r de Thk 430μm 50mm Sapphire Substrate Wafer Wafer Edge a poli, EPI-prêt

JDCD08-001-001 gaufrette de substrat de saphir du diamètre 50mm, Thk 430μm, orientation en cristal C/M0.2, de la longueur (millimètre) puce de 16 LED, matériel de substrat

Le saphir est le plus approprié de nos jours puisqu'un grand choix de semi-conducteurs sont employés dans différents dispositifs. Les produits de communication numérique comme des smartphones, des appareils photo numériques, des machines à laver, des ampoules de LED, et des réfrigérateurs se servent des semi-conducteurs.

Il y a également très peu d'appareils électroniques qui sont exempts de circuits intégrés. Au fur et à mesure du temps, plus de développements auront lieu dans le domaine des substrats de saphir.

Paramètres

Spécifications
Unité Cible Tolérance
Matériel Al2 O3 (>99.995%) de grande pureté
Diamètre millimètre 50,8 ±0.10
Épaisseur μm 430 ±15
Orientation extérieure C-avion (0001)
- Outre de l'angle vers le M-axe degré 0,20 ±0.10
- Outre de l'angle vers l'Un-axe degré 0,00 ±0.10
Orientation plate Un-avion (11-20)
- Angle excentré plat degré 0,0 ±0.2
Longueur plate millimètre 16,0 ±1
R-avion R9
Aspérité avant (Ra) nanomètre <0.3
Aspérité arrière μm 0.8~1.2μm
Qualité extérieure avant Le miroir a poli, EPI-prêt
Bord de gaufrette de type r
Amplitude de chanfrein μm 80-160
Radian inclus d'angle entre le bord plat et le bord rond millimètre R=9
TTV μm ≤5
LTV (5x5mm) μm ≤1.5
Arc μm 0~-5
Chaîne μm ≤10
Marque de laser Comme client requis

Au sujet de nous

Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.

FAQ

Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
Généralement c'est de 3-5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est de 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, il est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <> >=5000USD, 80% T/T de paiement à l'avance, équilibre avant expédition.

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

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