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Détails sur le produit:
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| Orientation extérieure: | Un-avion (11-20) | Matériel: | ₃ du ₂ O d'Al de grande pureté (>99.995%) |
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| Épaisseur: | 430±15μm | R-avion: | R9 |
| Diamètre: | 50,8 ±0.10 | Bord de gaufrette: | de type r |
| Mettre en évidence: | Thk 430um Sapphire Substrate,R de type gaufrette de semi-conducteur,OEM de Sapphire Substrate |
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Thk 430μm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, de la longueur (millimètre) puce de 16 LED
JDCD08-001-001 gaufrette de substrat de saphir du diamètre 50mm, Thk 430μm, orientation en cristal C/M0.2, de la longueur (millimètre) puce de 16 LED, matériel de substrat
Dans la production pratique, la gaufrette de saphir est faite en coupant la barre en cristal et puis en la rectifiant et le polissage. Généralement, la gaufrette de semi-conducteur est coupée en gaufrette par la coupure de fil ou la découpeuse multiconductrice.
Le saphir est un matériel d'une combinaison unique des propriétés physiques, chimiques et optiques, qui le rendent résistant à l'érosion de choc à hautes températures et thermique, d'eau et de sable, et de l'éraflure. C'est un matériel supérieur de fenêtre pour beaucoup d'applications d'IR de 3µm à 5µm. les substrats de saphir de C-avion sont très utilisés pour élever des composés d'III-V et d'II-VI tels que GaN pour la LED et les diodes lasers bleues, alors que des substrats de saphir de R-avion sont employés pour le dépôt hétéro-épitaxial du silicium pour des applications microélectroniques d'IC.
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Paramètres |
Spécifications | ||
| Unité | Cible | Tolérance | |
| Matériel | Al2 O3 (>99.995%) de grande pureté | ||
| Diamètre | millimètre | 50,8 | ±0.10 |
| Épaisseur | μm | 430 | ±15 |
| Orientation extérieure | C-avion (0001) | ||
| - Outre de l'angle vers le M-axe | degré | 0,20 | ±0.10 |
| - Outre de l'angle vers l'Un-axe | degré | 0,00 | ±0.10 |
| Orientation plate | Un-avion (11-20) | ||
| - Angle excentré plat | degré | 0,0 | ±0.2 |
| Longueur plate | millimètre | 16,0 | ±1 |
| R-avion | R9 | ||
| Aspérité avant (Ra) | nanomètre | <0.3 | |
| Aspérité arrière | μm | 0.8~1.2μm | |
| Qualité extérieure avant | Le miroir a poli, EPI-prêt | ||
| Bord de gaufrette | de type r | ||
| Amplitude de chanfrein | μm | 80-160 | |
| Radian inclus d'angle entre le bord plat et le bord rond | millimètre | R=9 | |
| TTV | μm | ≤5 | |
| LTV (5x5mm) | μm | ≤1.5 | |
| Arc | μm | 0~-5 | |
| Chaîne | μm | ≤10 | |
| Marque de laser | Comme client requis | ||
Au sujet de nous
Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.
FAQ
Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
Généralement c'est de 3-5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est de 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, il est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <>
>=5000USD, 80% T/T de paiement à l'avance, équilibre avant expédition.
Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)
Téléphone: +8613372109561
