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Haute pureté Al2O3 > 99,995 % de plaquette de saphir poli miroir EPI Ready

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Haute pureté Al2O3 > 99,995 % de plaquette de saphir poli miroir EPI Ready

Haute pureté Al2O3 > 99,995 % de plaquette de saphir poli miroir EPI Ready
High Purity Al2O3>99.995% Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready
Haute pureté Al2O3 > 99,995 % de plaquette de saphir poli miroir EPI Ready Haute pureté Al2O3 > 99,995 % de plaquette de saphir poli miroir EPI Ready

Image Grand :  Haute pureté Al2O3 > 99,995 % de plaquette de saphir poli miroir EPI Ready

Détails sur le produit:
Numéro de modèle: JDCD08-001-001
Conditions de paiement et expédition:
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 25
Conditions de paiement: T/T

Haute pureté Al2O3 > 99,995 % de plaquette de saphir poli miroir EPI Ready

description de
Orientation extérieure: Un-avion (11-20) Matériel: ₃ du ₂ O d'Al de grande pureté (>99.995%)
Épaisseur: 430 ±15μm R-avion: R9
Diamètre: 50,8 ±0.10 Bord de gaufrette: de type r
Mettre en évidence:

Sapphire Wafer EPI Ready

,

substrat de saphir led R9

,

plaquette de saphir A Plane

Al de haute pureté2O3>99,995 % Saphir Substrat Wafer Poli Miroir EPI-Ready

JDCD08-001-001 Plaquette de substrat en saphir de diamètre 50 mm, épaisseur 430 μm, orientation cristalline C/M0.2, longueur OF (mm) 16 puce LED, matériau de substrat


Substrat saphir Le substrat saphir constitue un matériau de fenêtre supérieur pour de nombreuses applications IR de 3 µm à 5 µm, car il offre une résistance aux hautes températures, aux chocs thermiques, à l'érosion par l'eau et le sable, une faible perte diélectrique, une excellente isolation électrique, avec des caractéristiques mécaniques et chimiques importantes, et scratch.Nous avons des substrats en saphir C-Plane R-Plane.Substrats en saphir du plan C utilisés pour développer des composés III-V et II-VI comme le GaN pour les LED bleues et les diodes laser.

 

Paramètres

spécification
Unité Cible Tolérance
Matériel Al de haute pureté2O3(> 99,995 %)
Diamètre millimètre 50,8 ±0,10
Épaisseur μm 430 ±15
Orientation des surfaces Plan C (0001)
-Off Angle vers l'axe M degré 0,20 ±0,10
-Off Angle vers l'axe A degré .00 ±0,10
Orientation à plat A-Plane (11-20)
-Angle de décalage plat degré 0.0 ±0,2
Longueur à plat millimètre 16.0 ±1
Plan R R9
Rugosité de la surface avant(Ra) nm <0,3
Surface arrière Rugosité μm 0.8~1.2μm
Qualité de la face avant Miroir poli, EPI-Ready
Bord de plaquette Type R
Amplitude de chanfrein μm 80-160
Angle radian inclus entre bord plat et bord rond millimètre R=9
TTV μm ≤5
LTV(5x5mm) μm ≤1.5
Arc μm 0~-5
Chaîne μm ≤10
Marquage laser   Comme client requis

 

 

À propos de nous

Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.

 

 

FAQ

Q : Êtes-vous une société commerciale ou un fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : Combien de temps dure votre délai de livraison ?
Généralement, il est de 3 à 5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, c'est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ?est-ce gratuit ou en supplément ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon gratuitement mais ne payons pas les frais de transport.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <=5000USD, 100% à l'avance.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T à l'avance, solde avant expédition.

 

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

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