LA CHINE Sapphire Wafer

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  Sapphire Wafer polie par miroir EPI Front Surface prêt

  Orientation extérieure:Un-avion (11-20)

  Matériel:Μm de ₃ du ₂ O d'Al de grande pureté (>99.995%)

  Épaisseur:430 ±10μm

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  JDCD08-001-007 Plaquette de substrat saphir C-Plane 8 pouces

  Matériel:Grande pureté Al2O3 (>99.995%)

  Orientation extérieure:C-avion (0001)

  R-avion:R9

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  C-avion Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-006 6inch

  Matériel:Grande pureté Al2O3 (>99.995%)

  Orientation extérieure:C-avion (0001)

  Épaisseur:625 ±15μm

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  JDCD08-001-005 Plaquette de substrat saphir R-Plane 4 pouces

  Matériel:Grande pureté Al2O3

  Diamètre:100.0±0.2mm

  Épaisseur:460±25μm

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  R-avion Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-004 2inch

  Orientation extérieure:Plan R，0±0.1°

  Orientation plate:C sur R,CCW45±1°

  Épaisseur:μm 500±15

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  JDCD08-001-002 Plaquette de substrat saphir A-Plane 2 pouces

  Orientation extérieure:Un-avion (11-20)

  Épaisseur:430 μm du ± 10

  R-avion:R9

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  JDCD08-001-003 Plaquette de substrat saphir M-Plane 2 pouces

  Orientation extérieure:M-avion (1010)

  Épaisseur:430 μm du ± 10

  Orientation plate:Un-avion (11-20)

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