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GaN Epitaxial Wafer

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Substrat de monocristal de GaN

Wafer épitaxial au GaN dopé

Visage GaN Substrate de C

LA CHINE GaN Epitaxial Wafer

5x10mm2 Sp face Gan plaquette épitaxiale UN type substrat monocristallin de Gan dopé si

Nom de produit:GaN Single Crystal Substrate libre

Dimensions:² de 5 x10mm

Épaisseur:350 ±25µm
Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate

Nom de produit:M Face Free-Standing GaN Substrates

Dimensions:5 x 10,5 mm²

Épaisseur:350 ±25µm
M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um

Nom de produit:Substrat GaN

Dimensions:5 x 10,5 mm²

Épaisseur:350 ±25µm
L'ONU a enduit le type GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 M Face de N

Nom de produit:Substrat de monocristal de GaN

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Épaisseur:350 ±25µm
Substrats de GaN autoportants de face M de plaquette épitaxiale de GaN dopés par l'ONU

Nom de produit:GaN Substrate libre

Dimensions:5 x 10 millimètres de ²

Épaisseur:350 ±25µm
Épaisseur de galette de nitrure de gallium GaN 325um - 375um autonome

Nom de produit:Substrat de monocristal de GaN

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Épaisseur:350 ±25µm
5 x 10 mm2 M font face à l'épaisseur 325um 375um de gaufrette épitaxiale de GaN

Nom de produit:Substrat GaN

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Épaisseur:350 ±25µm
Plaquette de semi-conducteur de nitrure de gallium monocristallin TTV 10um

Dimensions:5 x 10 millimètres de ²

Épaisseur:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
Un visage GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates

Nom de produit:Un visage GaN Substrates libre

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Épaisseur:350 ±25µm
Pouce GaN Epi Wafer Dimensions de l'épaisseur 370um 430um 2 50mm

Nom de produit:substrats libres de deux pouces de N-GaN

Arc:≤ 20μm

Appartement d'orientation:(1 - 100) ±0.1˚, ± 12,5 1mm
625um 675um 4 au saphir plat bleu de pouce LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

Nom de produit:bleu du GaN-sur-saphir 4inch/gaufrette verte de LED

Type:Saphir plat

Épaisseur:650 ± 25μm
saphir plat de gaufrette du vert LED de 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 millimètres

Nom de produit:bleu du GaN-sur-saphir 4inch/gaufrette verte de LED

Épaisseur:650 ± 25μm

Type:Saphir plat

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5x10mm2 Sp face Gan plaquette épitaxiale UN type substrat monocristallin de Gan dopé si

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um

L'ONU a enduit le type GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 M Face de N

Substrats de GaN autoportants de face M de plaquette épitaxiale de GaN dopés par l'ONU

Épaisseur de galette de nitrure de gallium GaN 325um - 375um autonome

5 x 10 mm2 M font face à l'épaisseur 325um 375um de gaufrette épitaxiale de GaN

Plaquette de semi-conducteur de nitrure de gallium monocristallin TTV 10um

Un visage GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates

Pouce GaN Epi Wafer Dimensions de l'épaisseur 370um 430um 2 50mm

625um 675um 4 au saphir plat bleu de pouce LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

saphir plat de gaufrette du vert LED de 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 millimètres

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal