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Détails sur le produit:
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| Dimensions: | 5 x 10 millimètres de ² | Épaisseur: | 350 ±25µm |
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| TTV: | ≤ 10µm | Arc: | - ≤ 10µm d'ARC de ≤ de 10µm |
| Macro densité de défaut: | ² 0cm⁻ | Nom de produit: | GaN Epitaxial Wafer |
| Mettre en évidence: | Plaquette semi-conductrice monocristalline,plaquette épi TTV 10um,plaquette semi-conductrice en nitrure de gallium |
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5*10.5mm2Face M Substrat monocristallin de GaN non dopé de type n Résistivité < 0,1 Ω·cm Dispositif de puissance/plaquette laser
Aperçu
Le substrat GaN a une orientation de surface contrôlée, sans dommage, très plate (Rms < 0,2 nm), et des surfaces de marches atomiques contrôlées.Une qualité de surface adaptée à la croissance épitaxiale a été obtenue.
Diodes laser : LD violet, LD bleu et LD vert
Appareils électroniques de puissance, Appareils électroniques haute fréquence
| M Fas Free-Stetjeng gunN SousStrates | ||||
| Article |
GaN-FS-MUS
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GaN-FS-MNS
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GaN-FS-M-SI-S |
Remarques: Un angle d'arc de cercle (R < 2 mm) est utilisé pour distinguer la surface avant et arrière. |
| Dimensions | 5 x 10 mm2 | |||
| Épaisseur | 350 ±25 µm | |||
| Orientation |
Plan M (1-100) hors angle vers l'axe A 0 ±0,5° Plan M (1- 100) hors angle vers l'axe C - 1 ±0,2° |
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| Type de conduction | Type N | Type N | Semi-isolant | |
| Résistivité (300K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10 µm | |||
| ARC | - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm | |||
| Rugosité de la surface avant |
< 0,2 nm (poli)； ou < 0,3 nm (poli et traitement de surface pour épitaxie) |
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| Rugosité de la surface arrière |
0,5 ~ 1,5 μm option : 1~3 nm (sol fin) ;< 0,2 nm (poli) |
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| Densité de luxation | A partir de 1 x 105à 3 x 106cm-2 | |||
| Densité des macro-défauts | 0cm-2 | |||
| Surface utilisable | > 90% (exclusion des bords) | |||
| Emballer | Conditionné en salle blanche classe 100, en bidon 6 PCS, sous atmosphère d'azote | |||
Annexe : Le diagramme de l'angle de coupe incorrect
Si δ1= 0 ± 0,5 degré, alors le plan M (1-100) hors angle vers l'axe A est de 0 ± 0,5 degré.
Si δ2= - 1 ± 0,2 degré, alors l'angle du plan M (1-100) vers l'axe C est de - 1 ± 0,2 degré.
À propos de nous
Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.
FAQ
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