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GaN Epitaxial Wafer

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Substrat de monocristal de GaN

Wafer épitaxial au GaN dopé

Visage GaN Substrate de C

LA CHINE GaN Epitaxial Wafer

Saphir plat 4 pouces bleu LED galette épitaxiale GaN sur saphir SSP

Nom de produit:bleu du GaN-sur-saphir 4inch/gaufrette verte de LED

Épaisseur:650 ± 25μm

Orientation:Avion de C (0001) outre d'angle vers le ± 0.1° du M-axe 0,2
Substrats N GaN autoportants N Rugosité de la surface de la face 0,5 um à 1,5 um

Nom de produit:substrats libres de deux pouces de N-GaN

Dimensions:50,0 ±0.3mm

Article:GaN-FS-C-N-C50-SSP
100mm 4 avancent l'épaisseur petit à petit bleue 5um - 6um de LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

Type:Saphir plat

Nom de produit:bleu du GaN-sur-saphir 4inch/gaufrette verte de LED

Polonais:Côté simple poli (SSP)/double côté poli (DSP)
12.5mm 2inch N libre GaN Epi Wafer Si Doped

Nom de produit:substrats libres de deux pouces de N-GaN

Dimensions:50,0 ±0.3mm

Épaisseur:400 ± 30μm
4 pouces bleu LED GaN plaquette épitaxiale C plan saphir plat

Type:Saphir plat

Nom de produit:bleu du GaN-sur-saphir 4inch/gaufrette verte de LED

Polonais:Côté simple poli (SSP)/double côté poli (DSP)
Substrat monocristallin de GaN gallium debout libre de type Face N non dopé

Nom de produit:Substrat de monocristal de GaN

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Épaisseur:350 ±25µm
5*10mm2 SP-Face sans dopage de type N GaN à base de cristal unique 20-21 / 20-2-1 10mm2 Résistivité 0,05 Ω·cm

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Épaisseur:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
Épaisseur 350 ± 25 μm Substrate monocristallin GaN de type N non dopé à TTV ≤ 10 μm et résistance 0,1 Ω·cm

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Épaisseur:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
SP-Face 11-12 sans dopage de type N GaN à base de cristal unique résistance à 0,05 Ω·cm Densité de défaut macro 0cm−2

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Épaisseur:350 ±25µm

Orientation:avion (de 11-22) outre d'angle vers l'avion du M-axe 0 ±0.5° (11-22) outre de l'angle vers le C-axe
Appareil de puissance 5x10 mm2 Substrate GaN monocristallin de type N non dopé à résistance de 0,1 Ω·cm et BOW à moins de 10 μm

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Orientation:avion (de 11-22) outre d'angle vers l'avion du M-axe 0 ±0.5° (11-22) outre de l'angle vers le C-axe

TTV:≤ 10µm
5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrate GaN monocristallin de type N non dopé à TTV ≤ 10μm Résistivité 0,05 Ω·cm

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Épaisseur:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-Face 10-11 sans dopage de type N GaN à base de cristal unique 0.1 Ω·cm Résistivité pour appareil électrique

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Épaisseur:350 ±25µm

Orientation:(10- 11) angle hors plan vers l'axe A 0 ±0,5° (10- 11) angle hors plan vers l'axe C - 1 ±0,2°

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Saphir plat 4 pouces bleu LED galette épitaxiale GaN sur saphir SSP

Substrats N GaN autoportants N Rugosité de la surface de la face 0,5 um à 1,5 um

100mm 4 avancent l'épaisseur petit à petit bleue 5um - 6um de LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

12.5mm 2inch N libre GaN Epi Wafer Si Doped

4 pouces bleu LED GaN plaquette épitaxiale C plan saphir plat

Substrat monocristallin de GaN gallium debout libre de type Face N non dopé

5*10mm2 SP-Face sans dopage de type N GaN à base de cristal unique 20-21 / 20-2-1 10mm2 Résistivité 0,05 Ω·cm

Épaisseur 350 ± 25 μm Substrate monocristallin GaN de type N non dopé à TTV ≤ 10 μm et résistance 0,1 Ω·cm

SP-Face 11-12 sans dopage de type N GaN à base de cristal unique résistance à 0,05 Ω·cm Densité de défaut macro 0cm−2

Appareil de puissance 5x10 mm2 Substrate GaN monocristallin de type N non dopé à résistance de 0,1 Ω·cm et BOW à moins de 10 μm

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrate GaN monocristallin de type N non dopé à TTV ≤ 10μm Résistivité 0,05 Ω·cm

5*10mm2 SP-Face 10-11 sans dopage de type N GaN à base de cristal unique 0.1 Ω·cm Résistivité pour appareil électrique

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal