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GaN Epitaxial Wafer

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Substrat de monocristal de GaN

Wafer épitaxial au GaN dopé

Visage GaN Substrate de C

LA CHINE GaN Epitaxial Wafer

Saphir plat 4 pouces bleu LED galette épitaxiale GaN sur saphir SSP

Nom de produit:bleu du GaN-sur-saphir 4inch/gaufrette verte de LED

Épaisseur:650 ± 25μm

Orientation:Avion de C (0001) outre d'angle vers le ± 0.1° du M-axe 0,2
Substrats N GaN autoportants N Rugosité de la surface de la face 0,5 um à 1,5 um

Nom de produit:substrats libres de deux pouces de N-GaN

Dimensions:50,0 ±0.3mm

Article:GaN-FS-C-N-C50-SSP
100mm 4 avancent l'épaisseur petit à petit bleue 5um - 6um de LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

Type:Saphir plat

Nom de produit:bleu du GaN-sur-saphir 4inch/gaufrette verte de LED

Polonais:Côté simple poli (SSP)/double côté poli (DSP)
12.5mm 2inch N libre GaN Epi Wafer Si Doped

Nom de produit:substrats libres de deux pouces de N-GaN

Dimensions:50,0 ±0.3mm

Épaisseur:400 ± 30μm
4 pouces bleu LED GaN plaquette épitaxiale C plan saphir plat

Type:Saphir plat

Nom de produit:bleu du GaN-sur-saphir 4inch/gaufrette verte de LED

Polonais:Côté simple poli (SSP)/double côté poli (DSP)
Substrat monocristallin de GaN gallium debout libre de type Face N non dopé

Nom de produit:Substrat de monocristal de GaN

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Épaisseur:350 ±25µm
GaN dopé UID de type N de 4 pouces sur tranche de saphir Résistivité SSP > 0,5 Ω cm LED, laser, plaquette épitaxiale PIN

Dimensions:100 ± 0.2mm

Épaisseur/épaisseur DST:4,5 ± 0.5μm/< 3%

Orientation:Plan C (0001) hors angle vers l'axe A 0,2 ± 0,1 °
GaN dopé au Mg de type P de 4 pouces sur une plaquette de saphir Résistivité SSP ~ 10Ω Cm LED Plaquette épitaxiale PIN laser

Dimensions:100 ± 0.2mm

Nom de produit:4-inch MG-a enduit GaN/Sapphire Substrates

Type de conduction:de type p
laser PIN Epitaxial Wafer de GaN/MG-enduit par 4-Inch Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED

Nom de produit:4-inch MG-a enduit GaN/Sapphire Substrates

Dimensions:100 ± 0.2mm

Type de conduction:de type p
Résistivité du substrat monocristallin de GaN monocristallin de type SI dopé au Fe à face C de 2 pouces > 10⁶ Ω·cm Dispositifs RF

Dimensions:50,8 ± 1mm

Épaisseur:350 ± 25μm

Appartement d'orientation:± 0.5˚, 16 ± 1mm (de 1-100)
laser DIRIGÉ PAR bleu 455±10nm de 2inch GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Nom de produit:GaN On Silicon Wafer DIRIGÉ PAR bleu

Dimensions:2 pouces

Épaisseur de tampon d'AlGaN:400-600nm
Couche DIRIGÉE PAR vert de la dimension 520±10nm 2inch GaN On Silicon Wafer 20nmContact

Nom de produit:2-4inch GaN DIRIGÉ PAR vert sur le silicium

Taille:2 pouces, 4 pouces

Dimension:520±10nm

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Saphir plat 4 pouces bleu LED galette épitaxiale GaN sur saphir SSP

Substrats N GaN autoportants N Rugosité de la surface de la face 0,5 um à 1,5 um

100mm 4 avancent l'épaisseur petit à petit bleue 5um - 6um de LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

12.5mm 2inch N libre GaN Epi Wafer Si Doped

4 pouces bleu LED GaN plaquette épitaxiale C plan saphir plat

Substrat monocristallin de GaN gallium debout libre de type Face N non dopé

GaN dopé UID de type N de 4 pouces sur tranche de saphir Résistivité SSP > 0,5 Ω cm LED, laser, plaquette épitaxiale PIN

GaN dopé au Mg de type P de 4 pouces sur une plaquette de saphir Résistivité SSP ~ 10Ω Cm LED Plaquette épitaxiale PIN laser

laser PIN Epitaxial Wafer de GaN/MG-enduit par 4-Inch Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED

Résistivité du substrat monocristallin de GaN monocristallin de type SI dopé au Fe à face C de 2 pouces > 10⁶ Ω·cm Dispositifs RF

laser DIRIGÉ PAR bleu 455±10nm de 2inch GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Couche DIRIGÉE PAR vert de la dimension 520±10nm 2inch GaN On Silicon Wafer 20nmContact

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal