LA CHINE GaN Epitaxial Wafer

5*10mm2 M-visage GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type n non dopé < 0,05 Ω·dispositif de puissance de cm/laser

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Épaisseur:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Dispositif RF de cm

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Épaisseur:350 ±25µm

Orientation:(10- 11) angle hors plan vers l'axe A 0 ±0,5° (10- 11) angle hors plan vers l'axe C - 1 ±0,2°
résistivité libre de type n non dopée de substrat de monocristal de GaN du l'Un-visage 5*10mm2 < 0,05 Ω·dispositif de puissance de cm/laser

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Épaisseur:350 ±25µm

Orientation:Un avion (11-20) outre d'angle vers l'avion du M-axe 0 ±0.5° A (11-20) outre de l'angle vers le C-ax
PS-visage 5*10mm2 (11-12) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Dispositif RF de cm

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Épaisseur:350 ±25µm

Orientation:avion (de 11-22) outre d'angle vers l'avion du M-axe 0 ±0.5° (11-22) outre de l'angle vers le C-axe
5*10mm2 Un-visage GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Gaufrette de dispositifs RF de cm

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Épaisseur:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
avion de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) outre d'angle vers le M-axe 0,35 ±0.15°

Dimensions:10 x 10,5 mm²

Épaisseur:350 ±25µm

Orientation:Plan C (0001) hors angle vers l'axe M 0,35 ±0,15°
Épaisseur 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substrats GaN autonomes

Nom de produit:GaN Substrates libre

Dimensions:10 x 10,5 mm²

Épaisseur:350 ±25µm
µm du ≤ 10 du µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

Nom de produit:GaN Epitaxial Wafer

Dimensions:10*10.5mm²

Épaisseur:350 ±25µm
4 pouces GaN On Sapphire Wafer SI-enduit de type n SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, laser, PIN Epitaxial Wafer

Nom de produit:Substrats GaN/saphir dopés Si de 4 pouces

Épaisseur/épaisseur DST:4,5 ± 0.5μm/< 3%

Orientation:Plan C (0001) hors angle vers l'axe A 0,2 ± 0,1 °
Substrats GaN Rugosité de la surface de la face Ga < 0,2 nm (poli) ou < 0,3 nm (poli et traitement de surface pour l'épitaxie)

Nom de produit:Substrat de monocristal de GaN

Dimensions:10 x 10,5 mm²

Épaisseur:350 ±25µm
AlGaN Buffer Épaisseur 600nm 2 pouces Blue-LED GaN sur plaquette de silicium

Dimensions:2 pouces/4 pouces

Épaisseur de tampon d'AlGaN:600NM

Laser d'onde de Longueur:455±10nm
GaN de type N de 2 ¢ 6 pouces sur une gaufre épitaxiale en saphir pour un dispositif de numérotation laser LED

Le type::Saphir plat

polonais:Côté simple poli (SSP)/double côté poli (DSP)

Dimension:50.8±0,2 mm (2 pouces)/100±0,2 mm ((4 pouces)/150 +0,2 mm (6 pouces)

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GaN Epitaxial Wafer

Substrat de monocristal de GaN

Wafer épitaxial au GaN dopé

Visage GaN Substrate de C

LA CHINE GaN Epitaxial Wafer

5*10mm2 M-visage GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type n non dopé < 0,05 Ω·dispositif de puissance de cm/laser

PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Dispositif RF de cm

résistivité libre de type n non dopée de substrat de monocristal de GaN du l'Un-visage 5*10mm2 < 0,05 Ω·dispositif de puissance de cm/laser

PS-visage 5*10mm2 (11-12) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Dispositif RF de cm

5*10mm2 Un-visage GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Gaufrette de dispositifs RF de cm

avion de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) outre d'angle vers le M-axe 0,35 ±0.15°

Épaisseur 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substrats GaN autonomes

µm du ≤ 10 du µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

4 pouces GaN On Sapphire Wafer SI-enduit de type n SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, laser, PIN Epitaxial Wafer

Substrats GaN Rugosité de la surface de la face Ga < 0,2 nm (poli) ou < 0,3 nm (poli et traitement de surface pour l'épitaxie)

AlGaN Buffer Épaisseur 600nm 2 pouces Blue-LED GaN sur plaquette de silicium

GaN de type N de 2 ¢ 6 pouces sur une gaufre épitaxiale en saphir pour un dispositif de numérotation laser LED

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal