LA CHINE GaN Epitaxial Wafer

Densité de défectuosité macro 0cm−2 Substrate à cristal unique GaN indépendant de type SI non dopé pour appareils RF 5*10mm2 M-Face

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Épaisseur:350 ±25µm

Arc:- ≤ 10µm d'ARC de ≤ de 10µm
TTV ≤ 10 μm Façade A non dopée de type N, GaN à base de cristal unique, résistance de 0,1 Ω·cm

Dimensions:² de 5 x de 10mm

Épaisseur:µm 350 ±25

Orientation:Un avion (11-20) outre d'angle vers l'avion du M-axe 0 ±0.5° A (11-20) outre de l'angle vers le C-ax
10*10,5 mm2 C-Face Fe-dopé type SI GaN à base de cristal unique à base de cristal libre Densité de défectuosité macro 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Résistivité 106 Ω·Cm Dispositifs RF Wafer

Dimensions:10 x 10,5 mm²

Épaisseur:350 ±25µm

TTV:µm du ≤ 10
2 pouces de LED verte GaN sur la plaque de silicium Dimension 520±10nm

Nom de produit:GaN DIRIGÉ PAR vert sur la gaufrette de silicium

Taille:2 pouces 4 pouces

Structure de substrat:111) substrats de 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si (
10 X 10,5 mm2 C Faces non dopées N type libre GaN sous-cristal unique

Nom de produit:Substrat de monocristal de GaN

Dimensions:10 x 10,5 mm²

Épaisseur:350 ±25µm
10 X 10,5 mm2 Substrats GaN en libre-service - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

Nom de produit:GaN Epitaxial Wafer

Dimensions:10 x 10,5 mm²

Épaisseur:350 ±25µm
GaN dopé UID de type N de 4 pouces sur tranche de saphir Résistivité SSP > 0,5 Ω cm LED, laser, plaquette épitaxiale PIN

Dimensions:100 ± 0.2mm

Épaisseur/épaisseur DST:4,5 ± 0.5μm/< 3%

Orientation:Plan C (0001) hors angle vers l'axe A 0,2 ± 0,1 °
GaN dopé au Mg de type P de 4 pouces sur une plaquette de saphir Résistivité SSP ~ 10Ω Cm LED Plaquette épitaxiale PIN laser

Dimensions:100 ± 0.2mm

Nom de produit:4-inch MG-a enduit GaN/Sapphire Substrates

Type de conduction:de type p
laser PIN Epitaxial Wafer de GaN/MG-enduit par 4-Inch Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED

Nom de produit:4-inch MG-a enduit GaN/Sapphire Substrates

Dimensions:100 ± 0.2mm

Type de conduction:de type p
Résistivité du substrat monocristallin de GaN monocristallin de type SI dopé au Fe à face C de 2 pouces > 10⁶ Ω·cm Dispositifs RF

Dimensions:50,8 ± 1mm

Épaisseur:350 ± 25μm

Appartement d'orientation:± 0.5˚, 16 ± 1mm (de 1-100)
laser DIRIGÉ PAR bleu 455±10nm de 2inch GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Nom de produit:GaN On Silicon Wafer DIRIGÉ PAR bleu

Dimensions:2 pouces

Épaisseur de tampon d'AlGaN:400-600nm
Couche DIRIGÉE PAR vert de la dimension 520±10nm 2inch GaN On Silicon Wafer 20nmContact

Nom de produit:2-4inch GaN DIRIGÉ PAR vert sur le silicium

Taille:2 pouces, 4 pouces

Dimension:520±10nm

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GaN Epitaxial Wafer

Substrat de monocristal de GaN

Wafer épitaxial au GaN dopé

Visage GaN Substrate de C

LA CHINE GaN Epitaxial Wafer

Densité de défectuosité macro 0cm−2 Substrate à cristal unique GaN indépendant de type SI non dopé pour appareils RF 5*10mm2 M-Face

TTV ≤ 10 μm Façade A non dopée de type N, GaN à base de cristal unique, résistance de 0,1 Ω·cm

10*10,5 mm2 C-Face Fe-dopé type SI GaN à base de cristal unique à base de cristal libre Densité de défectuosité macro 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Résistivité 106 Ω·Cm Dispositifs RF Wafer

2 pouces de LED verte GaN sur la plaque de silicium Dimension 520±10nm

10 X 10,5 mm2 C Faces non dopées N type libre GaN sous-cristal unique

10 X 10,5 mm2 Substrats GaN en libre-service - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

GaN dopé UID de type N de 4 pouces sur tranche de saphir Résistivité SSP > 0,5 Ω cm LED, laser, plaquette épitaxiale PIN

GaN dopé au Mg de type P de 4 pouces sur une plaquette de saphir Résistivité SSP ~ 10Ω Cm LED Plaquette épitaxiale PIN laser

laser PIN Epitaxial Wafer de GaN/MG-enduit par 4-Inch Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED

Résistivité du substrat monocristallin de GaN monocristallin de type SI dopé au Fe à face C de 2 pouces > 10⁶ Ω·cm Dispositifs RF

laser DIRIGÉ PAR bleu 455±10nm de 2inch GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Couche DIRIGÉE PAR vert de la dimension 520±10nm 2inch GaN On Silicon Wafer 20nmContact

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal