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Aperçu ProduitsGaN Epitaxial Wafer

laser DIRIGÉ PAR bleu 455±10nm de 2inch GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Certificat
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laser DIRIGÉ PAR bleu 455±10nm de 2inch GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

laser DIRIGÉ PAR bleu 455±10nm de 2inch GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde
laser DIRIGÉ PAR bleu 455±10nm de 2inch GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Image Grand :  laser DIRIGÉ PAR bleu 455±10nm de 2inch GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Suzhou Chine
Nom de marque: GaNova
Certification: UKAS/ISO9001:2015
Numéro de modèle: JDWY03-002-013
Conditions de paiement et expédition:
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 6
Délai de livraison: 3-4 jours de la semaine
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 10000pcs/Month

laser DIRIGÉ PAR bleu 455±10nm de 2inch GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

description de
Nom de produit: GaN On Silicon Wafer DIRIGÉ PAR bleu Dimensions: 2 pouces
Épaisseur de tampon d'AlGaN: 400-600nm Laser d'onde de Longueur: 455±5nm
Structure de substrat: Structure 10nmConnect 111) substrats de la couche/pGaN/400-600nmAlGaN/70-150nmInGaN/~15nmGaN-QB/~2.5 Caractéristiques: DIRIGÉ PAR bleu
Mettre en évidence:

455±10 nm GaN sur une gaufre de silicium

2inch GaN DIRIGÉ PAR bleu sur la gaufrette de silicium

La nitrure de gallium est une technologie des semiconducteurs utilisée pour la puissance élevée, applications à haute fréquence de semi-conducteur. La nitrure de gallium montre plusieurs caractéristiques qui le rendent meilleur que la GaAs et le silicium pour différents composants de puissance élevée. Ces caractéristiques incluent une tension claque plus élevée et une meilleure résistivité électrique.

laser bleu de 2inch GaN sur le silicium

Article

111) substrats de SI (

Solution tampon d'Al (GA) N uGaN nGaN AlGaN InGaN

MQW

(1-3 paires)

InGaN AlGaN pGaN Couche de contact
InGaN-QW GaN-QB
Dimension 2 pouces
Épaisseur 1000nm 1300-1500nm 1300-1500nm 1200-1500nm 70-150nm ~2.5nm ~15nm 70-150nm 400-600nm / 10nm
Composition Al% / / / 5-8 / / / / 5-8 / /
Po / / / 2-8 ~15 / 2-8 / / /
Dopage [SI] / / 5.0E+18 2.0E+18 2.0E+18 / / / / / /
[Magnésium] / / / / / / / / 2.0E+19 2.0E+19 /
Laser d'onde de Longueur 455±5nm
Structure de substrat 10nmConnect 111) substrats de la couche/pGaN/400-600nmAlGaN/70-150nmInGaN/~15nmGaN-QB/~2.5nmInGaN-QW/70-150nmInGaN/1200-1500nmAlGaN/1300-1500nmnGaN/1300-1500nmnGaN/1300-1500nmuGaN/1000nmAl (GA) N buffer/Si (
Paquet Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans le conteneur 25PCS, sous une atmosphère d'azote

Au sujet de nous

Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.

FAQ

Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
Généralement c'est de 3-5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est de 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, il est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <> >=5000USD, 80% T/T de paiement à l'avance, équilibre avant expédition.

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

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