Détails sur le produit:
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Nom de produit: | bleu du GaN-sur-saphir 4inch/gaufrette verte de LED | Épaisseur: | 650 ± 25μm |
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Type: | Saphir plat | Polonais: | Côté simple poli (SSP)/double côté poli (DSP) |
Dimension: | 100 ± 0.2mm | Orientation: | Avion de C (0001) outre d'angle vers le ± 0.1° du M-axe 0,2 |
Mettre en évidence: | 4inch gan sur des gaufrettes de saphir,Gaufrette verte bleue de LED,gan sur des gaufrettes de saphir 100 millimètres |
bleu du GaN-Sur-saphir 4inch/± plat du saphir 100 gaufrette verte de LED 0,2 millimètres
gaufrette épitaxiale bleue de 4 pouces LED GaN sur le saphir SSP
L'ingrédient principal pour la LED bleue est nitrure de gallium, un matériel robuste avec une grande séparation d'énergie, ou “espace”, entre les électrons et les trous -- cet espace est crucial en accordant l'énergie des photons émis pour produire la lumière bleue.
Les diodes électroluminescentes (LED) ont fabriqué de la nitrure de gallium (GaN) ont mené à la réalisation de l'éclairage à semi-conducteur blanc à haute efficacité.
Un autre problème majeur en produisant la LED bleue était la difficulté dans GaN de p-dopage avec la précision. Vers la fin des années 1980, Amano et Akasaki ont découvert que quand GaN a été enduit des atomes de zinc, il ont émis plus de lumière et ceci a donné ainsi un meilleur p-dopage. Ce des phénomènes plus tard ont été expliqués dans un article par Nakamura.
bleu du GaN-sur-saphir 4inch/gaufrette verte de LED | ||||
Substrat |
Type | Saphir plat |
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Polonais | Côté simple poli (SSP)/double côté poli (DSP) | |||
Dimension | ± 100 0,2 millimètres | |||
Orientation | Avion de C (0001) outre d'angle vers le ± 0.1° du M-axe 0,2 | |||
Épaisseur | 650 μm du ± 25 | |||
Épicouche |
Structure | uGaN de 0.2μm pGaN/0.5μm MQWs/2.5μm nGaN/2.0μm | ||
Épaisseur | 5,5 ± 0.5μm | |||
Rugosité (Ra) | <0> | |||
Densité de dislocation | < 5="">8 cm2 | |||
Longueur d'onde | LED bleue | LED verte | ||
465 ± 10 nanomètre | 525 ± 10 nanomètre | |||
Longueur d'onde FWHMs | < 25="" nm=""> | < 40="" nm=""> | ||
Chip Performance | Coupe-dans le μA de voltage@1 | 2.3-2.5V | 2.2-2.4V | |
Secteur utilisable | > 90% (bord et macro exclusion de défauts) | |||
Paquet |
Emballé dans un cleanroom dans un conteneur simple de gaufrette |
Au sujet de nous
Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.
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Paiement <>
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