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Aperçu ProduitsGaN Epitaxial Wafer

PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Dispositif RF de cm

Certificat
LA CHINE Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certifications
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PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Dispositif RF de cm

PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Dispositif RF de cm
PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Dispositif RF de cm PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Dispositif RF de cm PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Dispositif RF de cm PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Dispositif RF de cm

Image Grand :  PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Dispositif RF de cm

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Suzhou Chine
Nom de marque: GaNova
Certification: UKAS/ISO9001:2015
Numéro de modèle: JDCD01-001-012
Conditions de paiement et expédition:
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 6
Délai de livraison: 3-4 jours de la semaine
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 10000pcs/Month

PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Dispositif RF de cm

description de
Dimensions: ² de 5 x de 10mm Épaisseur: 350 ±25µm
Orientation: (10- 11) angle hors plan vers l'axe A 0 ±0,5° (10- 11) angle hors plan vers l'axe C - 1 ±0,2° TTV: ≤ 10µm
Arc: - ≤ 10µm d'ARC de ≤ de 10µm Macro densité de défaut: ² 0cm⁻
Secteur utilisable: > 90% (exclusion de bord) Nom de produit: GaN Epitaxial Wafer
Mettre en évidence:

106 Ω·Cm GaN Substrate à cristal unique

résistivité libre de type SI non dopée de substrat de monocristal de GaN du PS-visage 5*10mm2 (10-11) > 106 Ω·gaufrette de dispositifs RF de cm

Maintenant un nouveau matériel appelé Gallium Nitride (GaN) a le potentiel de remplacer le silicium comme coeur des puces électroniques. La nitrure de gallium peut soutenir des tensions plus élevées que le silicium et le courant peuvent passer plus rapide par elle. D'ailleurs, la déperdition d'énergie est de manière significative moins dans GaN, le rendant beaucoup plus efficace.


(10- 11) faites face aux substrats libres de GaN
Article

GAN-FS-PS-U-s

GAN-FS-PS-N-s

GAN-FS-PS-SI-s

PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Dispositif RF de cm 0

Remarques :

Un angle circulaire d'arc (R < 2="" mm="">

Dimensions 5 x 10 millimètres2
Épaisseur µm 350 ±25
Orientation

(10 - 11) avion outre d'angle vers l'Un-axe 0 ±0.5°

(10 - 11) avion outre d'angle vers le C-axe - 1 ±0.2°

Type de conduction de type n de type n Semi-isolant
Résistivité (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·cm
TTV µm du ≤ 10
ARC - 10 µm du ≤ 10 d'ARC de ≤ de µm
Front Surface Roughness

< 0="">

ou < 0="">

Aspérité arrière

0,5 μm ~1,5

option : 1~3 nanomètre (la terre fine) ; < 0="">

Densité de dislocation De 1 x 105 à 3 x 106 cm2
Macro densité de défaut 0 cm2
Secteur utilisable > 90% (exclusion de bord)
Paquet Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans le conteneur de 6 PCS, sous une atmosphère d'azote

Annexe : Le diagramme de l'angle de miscut

PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Dispositif RF de cm 1

Si ±0.5°du δ1 = 0, alors (10 - 11) avion outre d'angle vers l'Un-axe est 0 ±0.5°.

Si δ2 = - 1 ±0.2°, alors (10 - 11) avion outre d'angle vers le C-axe est - 1 ±0.2°.

Au sujet de nous

Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.

FAQ

Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
Généralement c'est de 3-5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est de 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, il est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <> >=5000USD, 80% T/T de paiement à l'avance, équilibre avant expédition.

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

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