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Détails sur le produit:
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| Mettre en évidence: | Nitrure de gallium GaN Substrate monocristallin,2 pouces de nitrure de gallium sous-cristallin unique |
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Substrate GaN indépendant non dopé
1, Vue d' ensemble du substrat monocristallin de nitrure de gallium(Substrate de GaN)
Le substrat monocristallin de nitrure de gallium (substrate GaN) est un composant important requis dans le processus de préparation des cristaux de nitrure de gallium (GaN),et c'est le substrat sur lequel les cristaux de nitrure de gallium sont cultivésLes cristaux de nitrure de gallium (GaN) ont un large éventail de scénarios d'application, y compris les LED, les appareils électroniques à grande vitesse et les appareils électroniques de puissance.La qualité du substrat monocristallin de nitrure de gallium (le substrat GaN) a une incidence cruciale sur les performances et le rendement du cristal..
2Spécifications du produit
| Substrats à U-GaN/SI-GaN de 2 pouces en position libre | |||||||
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Niveau excellent (S) |
Niveau de production (A) |
La recherche niveau B |
Espèce de crétin! niveau (C) |
Nom de l'organisme: (1) Surface utilisable: exclus les défauts de bord et de macro (2) 3 points: les angles de coupure des positions (2, 4, 5) sont de 0,35 ± 0.15o |
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| S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | ||||
| Les dimensions | 50.8 ± 1 mm | ||||||
| Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||||||
| Plate d'orientation | La fréquence d'écoulement est de 0,01 ± 0.5o, 16 ± 1 mm | ||||||
| Plate d'orientation secondaire | (11 à 20) ± 3o, 8 ± 1 mm | ||||||
| Résistance (300K) |
< 0,5 Ω·cm pour le type N (sans dopage; GaN-FS-C-U-C50) ou > 1 x 106Ω·cm pour les semi-isolants (dopés au Fe; GaN-FS-C-SI-C50) |
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| TTV | ≤ 15 μm |
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| - Je vous en prie. | ≤ 20 μm ≤ 40 μm | ||||||
| Ga rugosité de la surface |
< 0,2 nm (polie) ou < 0,3 nm (polissage et traitement de surface pour l'épitaxie) |
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| N rugosité de la surface |
0.5 ~ 1,5 μm Option: 1 à 3 nm (moulé finement); < 0,2 nm (polissé) |
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| Le paquet | Emballé dans une salle blanche dans un conteneur à plaquette unique | ||||||
| Surface utilisable | > 90% | > 80% | > 70% | ||||
| Densité de dislocation | Les valeurs sont les suivantes:5en cm- Deux. | Le numéro de série:6en cm- Deux. | Les valeurs sont les suivantes:5en cm- Deux. | Le numéro de série:6en cm- Deux. | Le numéro de série:6en cm- Deux. | ||
| Orientation:plan C (0001) en découlant de l'angle vers l'axe M |
0.35 ± 0.15o (3 points) |
0.35 ± 0.15o (3 points) |
0.35 ± 0.15o (3 points) |
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| Densité de défectuosité macro (trou) | 0 cm- Deux. | > 0,3 cm- Deux. | > 1 cm- Deux. | ||||
| Taille maximale des défauts macro | |
< 700 μm | < 2000 μm | > 4000 μm | |||
À propos de nous
Nous sommes spécialisés dans le traitement d'une variété de matériaux en wafers, substrats et composants de verre optique personnalisés largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités nationales et étrangères., les institutions de recherche et les entreprises, fournissent des produits et services personnalisés pour leurs projets de R & D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients par notre bonne réputation.
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