625um à 675um 4 pouces LED bleu de nitrure de gallium GaN Wafer épitaxial sur le saphir SSP Sapphire plat

Exposition

October 29, 2024

Category Connection: GaN Epitaxial Wafer

Contactez nous

Une gaine épitaxienne de qualité de Chine.
La teneur en dioxyde de carbone de l'huile de palme est supérieure à 0,5% et la teneur en dioxyde de carbone de l'huile de palme est supérieure à 0,5%
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. fabricant de qualité en provenance de Chine.
Nous pouvons fournir:
Le produit doit être présenté sous forme d'une plaque de type GaN.
SiC épitaxial wafer : https://www.epi-wafers.com/supplier-sic_epitaxial_wafer-3081162.html
Le produit doit être présenté sous forme d'une plaquette.
Bienvenue sur notre site officiel: http://www.epi-wafers.com

Tags:

#Gaufrette de semi-conducteur de nitrure de gallium #Position libre GaN Substrates #LED bleue GaN Epitaxial Wafer

625um à 675um 4 pouces LED bleu de nitrure de gallium GaN Wafer épitaxial sur le saphir SSP Sapphire plat
Contactez
JDCD07-001-002 Wafer épitaxial SOI de 5 pouces pour le traitement MEMS
Contactez
JDCD07-001-004 Wafer épitaxial SOI de 7 pouces pour le traitement MEMS
Contactez
JDCD07-001-001 Plaquette épitaxiale SOI de 4 pouces pour le traitement MEMS
Contactez
C-avion Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-006 6inch
Contactez

625um à 675um 4 pouces LED bleu de nitrure de gallium GaN Wafer épitaxial sur le saphir SSP Sapphire plat

625um à 675um 4 pouces LED bleu de nitrure de gallium GaN Wafer épitaxial sur le saphir SSP Sapphire plat

JDCD07-001-002 Wafer épitaxial SOI de 5 pouces pour le traitement MEMS

JDCD07-001-004 Wafer épitaxial SOI de 7 pouces pour le traitement MEMS

JDCD07-001-001 Plaquette épitaxiale SOI de 4 pouces pour le traitement MEMS

C-avion Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-006 6inch

Système de recuit thermique rapide présenté sur le site de l'exposition

Savez-vous distinguer l'avant et l'arrière des plaquettes GaN?

Affichage de l'emballage du substrat GaN de la gaufre au nitrure de gallium

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Substrats U-GaN SI-GaN autoportants pour tranches épitaxiales GaN 375 um