625um à 675um 4 pouces LED bleu de nitrure de gallium GaN Wafer épitaxial sur le saphir SSP Sapphire plat
Une gaine épitaxienne de qualité de Chine.
La teneur en dioxyde de carbone de l'huile de palme est supérieure à 0,5% et la teneur en dioxyde de carbone de l'huile de palme est supérieure à 0,5%
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. fabricant de qualité en provenance de Chine.
Nous pouvons fournir:
Le produit doit être présenté sous forme d'une plaque de type GaN.
SiC épitaxial wafer : https://www.epi-wafers.com/supplier-sic_epitaxial_wafer-3081162.html
Le produit doit être présenté sous forme d'une plaquette.
Bienvenue sur notre site officiel: http://www.epi-wafers.com
La teneur en dioxyde de carbone de l'huile de palme est supérieure à 0,5% et la teneur en dioxyde de carbone de l'huile de palme est supérieure à 0,5%
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GaN Epitaxial Wafer
Gaufrette de semi-conducteur de nitrure de gallium
Position libre GaN Substrates
LED bleue GaN Epitaxial Wafer
Display d'exposition du nitrure de gallium (GaN)
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JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Monocristal Substrat Product Grade Single Polishing
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JDCD07-001-004 Wafer épitaxial SOI de 7 pouces pour le traitement MEMS
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JDCD07-001-001 Plaquette épitaxiale SOI de 4 pouces pour le traitement MEMS
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JDCD07-001-002 Wafer épitaxial SOI de 5 pouces pour le traitement MEMS
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JDCD08-001-007 Plaquette de substrat saphir C-Plane 8 pouces
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