Affichage de l'emballage du substrat GaN de la gaufre au nitrure de gallium
Une gaufre épitaxienne SiC de qualité de Chine.
Les produits de base sont les produits de fabrication de produits de fabrication de produits de fabrication de produits de fabrication de produits de fabrication.
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. fabricant de qualité en provenance de Chine.
Nous pouvons fournir:
Le produit doit être présenté sous forme d'une plaque de type GaN.
SiC épitaxial wafer : https://www.epi-wafers.com/supplier-sic_epitaxial_wafer-3081162.html
Le produit doit être présenté sous forme d'une plaquette.
Bienvenue sur notre site officiel: http://www.epi-wafers.com
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SiC épitaxial wafer : https://www.epi-wafers.com/supplier-sic_epitaxial_wafer-3081162.html
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Gaufrette sic épitaxiale
Gaufrettes épitaxiales de carbure de silicium
Plaquette épitaxienne de type N Sic
La plaquette épitaxienne
Substrat GaN
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L'éclairage LED bleu GaN sur la plaque de silicium
Contactez -
GaN laser violet sur le silicium 2 pouces GaN sur le silicium HEMT Epi plaque UV LD Epi plaque
Contactez -
4 pouces 4H-SiC Substrate P-Niveau SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Résistance≥1E9Ω·Cm Pour les micro-ondes de puissance
Contactez -
4 pouces 4H-SiC Substrate de niveau P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Résistivité≥1E5Ω·cm Pour les micro-ondes de puissance
Contactez -
Substrat 4H-SiC 4 pouces Niveau P Type N 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Résistivité 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm
Contactez
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