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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrats de diamant CVD
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Système de recuit thermique rapide
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Sapphire Substrates modelée
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Support de gaufrette de téflon
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single crystal diamond wafer fabrication en ligne

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225nm au contenu électronique infrarouge lointain de la gaufrette N de diamant monocristallin de catégorie
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2022-09-27 17:13:55

catégorie électronique de 3x3mm2 0.3mm Crystal Diamond simple 225nm à l'infrarouge lointain
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2022-09-27 17:12:26

XRD
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2022-09-27 17:14:11

70 à la catégorie de CVD Diamond Substrates Single Crystal Electronic de 120 PGa
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2022-09-27 17:13:37

N Content
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2022-09-27 17:14:46

Substrat monocristallin du module de Young 1050PGa Grade électronique
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2022-09-27 17:14:25

Constante diélectrique de substrats de diamant CVD de qualité électronique 5,5
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2022-09-27 17:12:44

Catégorie électronique Crystal Diamond simple, N Content<100ppb, conduction thermique de JDCD05-001-003 1010mm20.3mm de XRD<0.015º
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2022-09-28 15:00:05

3 teneur en n de CVD Diamond Substrates de X 3mm2 < 100ppb pour le radiateur
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2022-10-09 09:54:10

JDCD05-001-004 Diamant monocristallin de qualité électronique 33mm20.5mm, contenu N
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2022-10-09 09:54:38

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GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

Substrats de diamant CVD

Système de recuit thermique rapide

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Gaufrette de nitrure en aluminium

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Plaquette Ga2O3

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal