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Coordonnées

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

À propos

GaN Epitaxial Wafer: le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI; Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm; Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale: Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um; bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um; CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal

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