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Gaufrette sic épitaxiale
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p type silicon substrate fabrication en ligne

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Substrat SiC de 2 pouces 350 μm pour l'électronique de puissance exigeante
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2024-10-29 11:49:58

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48

L'éclairage LED bleu GaN sur la plaque de silicium
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2024-12-06 17:37:25

JDCD06-001-006 Dispositifs MEMS à plaquettes de silicium de 8 pouces Circuits intégrés Substrats dédiés pour dispositifs discrets
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2025-04-27 11:43:51

JDCD06-001-002 Dispositifs MEMS de plaquette de silicium de 3 pouces, circuits intégrés, substrats dédiés pour dispositifs discrets
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2025-04-04 22:43:44

JDCD06-001-003 Dispositifs MEMS de plaquette de silicium de 4 pouces, circuits intégrés, substrats dédiés pour dispositifs discrets
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2025-04-04 22:43:44

JDCD06-001-004 Wafer de silicium de 5 pouces Dispositifs MEMS Circuits intégrés Substrats dédiés pour les dispositifs discrets
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2025-04-27 11:43:51

JDCD06-001-005 Wafer de silicium de 6 pouces Dispositifs MEMS Circuits intégrés Substrats dédiés pour dispositifs discrets
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2025-04-27 11:43:51

JDCD06-001-007 Wafer de silicium de 12 pouces Dispositifs MEMS Circuits intégrés Substrats dédiés pour les dispositifs discrets
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2025-04-27 11:43:51

SP Face 5 X 10mm2 Substrat de nitrure de gallium 350um
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2022-10-08 16:41:01

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal