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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrats de diamant CVD
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Gaufrette de nitrure en aluminium
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Support de gaufrette de téflon
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p type silicon substrate fabrication en ligne

(81)

Un visage GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
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2023-02-17 10:57:06

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
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2023-02-17 10:18:05

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
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2022-10-08 17:04:46

Substrat monocristallin de GaN gallium debout libre de type Face N non dopé
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2023-02-17 11:02:58

Optoélectronique Polissage Saphir Cristal Wafer Type R
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2023-02-17 11:22:48

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopé en position libre Ga2O3 Substrate monocristallin Qualité du produit Polissage unique
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2025-04-27 11:43:51

Plaquette épitaxiale GaN 5x10mm2 Type SI dopé Un
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2024-10-29 11:49:57

LED à substrat d'arséniure de gallium pour communications optiques
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2022-10-09 09:53:08

0.015ohm.cm à 0.028ohm.cm Type de cristal de carbure de silicium N
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2022-09-27 17:01:16

4" résistivité en cristal de carbure de silicium de catégorie de P 0.015ohm.cm à 0.028ohm.cm
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2022-09-27 17:35:24

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GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

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Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal