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GaN Epitaxial Wafer
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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrats de diamant CVD
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Système de recuit thermique rapide
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Testeur de capteur à effet Hall
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Gaufrette de nitrure en aluminium
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Puce de diode laser
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Cristal de carbure de silicium
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Plaquette Ga2O3
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gaufrette de silicium
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Sapphire Wafer
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Sapphire Substrates modelée
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Support de gaufrette de téflon
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p type silicon substrate fabrication en ligne

(81)

TTV ≤ 10 μm Façade A non dopée de type N, GaN à base de cristal unique, résistance de 0,1 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51

Épaisseur 350 ± 25 μm Substrate monocristallin GaN de type N non dopé à TTV ≤ 10 μm et résistance 0,1 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51

Type 6inch 4H du niveau P SI isolant sic semi le substrat 150mm
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2022-10-24 10:21:46

GaN de type N de 2 ¢ 6 pouces sur une gaufre épitaxiale en saphir pour un dispositif de numérotation laser LED
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2024-12-06 17:48:43

Substrat SiC 350um 4H
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2022-10-09 16:57:57

résistivité libre de type n non dopée de substrat de monocristal de GaN du l'Un-visage 5*10mm2 < 0,05 Ω·dispositif de puissance de cm/laser
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2025-04-04 22:43:36

4H Politype Crystal Silicon Carbide simple 4" visage de la catégorie SI de P
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2022-09-27 17:01:35

GaN laser violet sur le silicium 2 pouces GaN sur le silicium HEMT Epi plaque UV LD Epi plaque
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2024-12-06 17:35:32

2 pouces GaN sur le silicium bleu LD Epi Wafer GaN laser bleu sur le silicium
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2024-12-06 17:35:32

Barrière d'AlGaN 4 pouces GaN sur le silicium HEMT Epi wafer nitrure de gallium GaN-sur-Si
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2024-12-06 17:33:44

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GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

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TTV ≤ 10 μm Façade A non dopée de type N, GaN à base de cristal unique, résistance de 0,1 Ω·cm
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Épaisseur 350 ± 25 μm Substrate monocristallin GaN de type N non dopé à TTV ≤ 10 μm et résistance 0,1 Ω·cm
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Type 6inch 4H du niveau P SI isolant sic semi le substrat 150mm
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GaN de type N de 2 ¢ 6 pouces sur une gaufre épitaxiale en saphir pour un dispositif de numérotation laser LED
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Substrat SiC 350um 4H
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal