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ga2o3 single crystal substrate fabrication en ligne

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acheter Ga2O3 gaufrette polie latérale simple Crystal Substrate simple en ligne fabricant

Ga2O3 gaufrette polie latérale simple Crystal Substrate simple
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10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Lire la suite
2024-10-29 11:49:58
acheter Substrat monocristallin 10x10mm2 de galette de Ga2O3 de dopage de Sn en ligne fabricant

Substrat monocristallin 10x10mm2 de galette de Ga2O3 de dopage de Sn
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10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Lire la suite
2024-10-29 11:49:58
acheter 10x15mm2 UID a dopé le polissage simple debout libre de galette de Ga2O3 en ligne fabricant

10x15mm2 UID a dopé le polissage simple debout libre de galette de Ga2O3
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JDCD04-001-005 10x15mm2(-201)UID-Doped Free-Standing Ga2O3 Single Crystal Substrate Product Grade Single Polishing 10x15mm2(-201)UID-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single ... Lire la suite
2022-09-27 16:57:32
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À propos

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal

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