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sapphire aluminum nitride wa fabrication en ligne

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JDWY01-001-004 couche épaisse de 2 pouces (2,3) um AIN sur la gaufrette de saphir, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec
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2025-04-04 22:43:14

1 pouce de plaquette monocristalline AlN 400±50μM de qualité S/P/R
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2024-12-06 17:50:21

Plan C AIN sur plaquette de saphir simple ou double face poli
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2022-09-27 15:39:11

JDWY01-001-006 couche épaisse de 2 pouces (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec
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2025-04-04 22:43:14

2 pouces isolant semi l'avion d'AIN Sapphire Single Crystal Wafer C
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2022-09-27 15:43:34

$acheter JDWY01-001-007 Couche épaisse de 2 pouces (4,5) Um AIN sur plaquette de saphir, SSP, XRD FWHM de (002) ≤ 160 arcsec \ (102) ≤ 400 arcsec en ligne fabricant$

JDWY01-001-007 Couche épaisse de 2 pouces (4,5) Um AIN sur plaquette de saphir, SSP, XRD FWHM de (002) ≤ 160 arcsec \ (102) ≤ 400 arcsec
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2025-04-04 22:43:09

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal