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Gaufrette sic épitaxiale
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Substrats de diamant CVD
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Sapphire Substrates modelée
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Support de gaufrette de téflon
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sapphire wafer epi ready fabrication en ligne

(17)

Crystal Orientation C/M0.2 50mm Sapphire Substrate Wafer Thk 420um
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2023-02-17 11:22:13

JDCD08-001-003 Wafer de substrat de saphir plat de 2 pouces M
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2025-04-27 11:43:50

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
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2023-02-17 10:18:05

JDCD08-001-002 Wafer de substrat en saphir à 2 pouces A-plan
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2025-04-27 11:43:50

Plaquette de substrat saphir Al2O3 50 mm de haute pureté Thk 430 μm
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2023-02-17 10:17:43

Optoélectronique Polissage Saphir Cristal Wafer Type R
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2023-02-17 11:22:48

R-avion Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-004 2inch
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2025-04-04 22:42:27

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GaN Epitaxial Wafer

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal