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GaN Epitaxial Wafer
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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrats de diamant CVD
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Système de recuit thermique rapide
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Testeur de capteur à effet Hall
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Gaufrette de nitrure en aluminium
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Puce de diode laser
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Sapphire Substrates modelée
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Support de gaufrette de téflon
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Machine à découper les plaquettes
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sapphire substrate mirror polished fabrication en ligne

(17)

Optoélectronique Polissage Saphir Cristal Wafer Type R
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2023-02-17 11:22:48

Orientation Cristal C/M0.2 Plaquette Saphir Épaisseur 440μm
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2022-09-26 16:02:07

JDCD08-001-003 Plaquette de substrat saphir M-Plane 2 pouces
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2023-02-17 10:54:43

Plaquette de saphir de type R de 50 mm d'épaisseur 420 μm de longueur (mm) Puce de 16 LED
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2023-02-17 11:23:22

R-avion Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-004 2inch
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2022-09-28 15:11:57

C-avion Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-006 6inch
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2023-04-23 11:43:40

JDCD08-001-002 Plaquette de substrat saphir A-Plane 2 pouces
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2023-02-17 10:55:25

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GaN Epitaxial Wafer

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JDCD08-001-003 Plaquette de substrat saphir M-Plane 2 pouces
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Plaquette de saphir de type R de 50 mm d'épaisseur 420 μm de longueur (mm) Puce de 16 LED
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JDCD08-001-002 Plaquette de substrat saphir A-Plane 2 pouces
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal