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semiconductor diode laser chip fabrication en ligne

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acheter Longueur d'onde 915nm de la taille d'onde 915nm de la taille 94μm d'émetteur de la puce 1.0W/A de semi-conducteur de diode laser d'impression laser en ligne fabricant

Longueur d'onde 915nm de la taille d'onde 915nm de la taille 94μm d'émetteur de la puce 1.0W/A de semi-conducteur de diode laser d'impression laser
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Laser Printing Laser Diode Chip 1.0W/A Emitter Size 94μm Wavelength 915nm 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design Chip on Submount COS Laser Diode employing AuSn bonding and P Down package with ... Lire la suite
2022-09-22 15:10:25
acheter Efficacité de conversion de puissance de puce de diode laser du courant de seuil 0.5A 58% en ligne fabricant

Efficacité de conversion de puissance de puce de diode laser du courant de seuil 0.5A 58%
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Threshold Current 0.5A Laser Diode Chip Power Conversion Efficiency 58% 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design On-chip integration of laser diodes and photodetectors with silicon nanowire waveguides ... Lire la suite
2022-09-22 15:12:40
acheter Efficacité de pente d'impression laser de puce de diode laser du courant 0.5A de seuil 1.0W/A en ligne fabricant

Efficacité de pente d'impression laser de puce de diode laser du courant 0.5A de seuil 1.0W/A
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Threshold Current 0.5A Laser Diode Chip Laser Printing Slope Efficiency 1.0W/A 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design The light source is integrated by flip-chip bonding directly onto the Si ... Lire la suite
2022-09-22 15:13:34
acheter Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2 en ligne fabricant

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
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Thk 430μm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED ... Lire la suite
2023-02-17 10:18:05
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À propos

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal

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