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GaN Epitaxial Wafer
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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrats de diamant CVD
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Système de recuit thermique rapide
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Testeur de capteur à effet Hall
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semiconductor diode laser chip fabrication en ligne

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Longueur d'onde 915nm de la taille d'onde 915nm de la taille 94μm d'émetteur de la puce 1.0W/A de semi-conducteur de diode laser d'impression laser
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2022-09-22 15:10:25

Efficacité de conversion de puissance de puce de diode laser du courant de seuil 0.5A 58%
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2022-09-22 15:12:40

Efficacité de pente d'impression laser de puce de diode laser du courant 0.5A de seuil 1.0W/A
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2022-09-22 15:13:34

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
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2023-02-17 10:18:05

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GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

Substrats de diamant CVD

Système de recuit thermique rapide

Testeur de capteur à effet Hall

Gaufrette de nitrure en aluminium

Puce de diode laser

Cristal de carbure de silicium

Plaquette Ga2O3

gaufrette de silicium

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modelée

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal