Aperçu Produits Gaufrette sic épitaxiale

Sic type substrat de N

Name: Sic type substrat de N
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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gaufrette sic épitaxiale 6inch

Certificat

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Sic type substrat de N

Image Grand : Sic type substrat de N

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	Suzhou Chine
Nom de marque:	GaNova
Certification:	UKAS/ISO9001:2015

Conditions de paiement et expédition:

Détails d'emballage:	Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 25
Délai de livraison:	3-4 jours de la semaine
Conditions de paiement:	T/T

Contact

Sic type substrat de N

description de

Crystal Form:	4h	Contamination métallique de surface:	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, manganèse) ² du cm⁻ ≤1E11
Nom de produit:	substrat de 6inch 4H-SiC de type n	Diamètre:	150.0mm +0mm/-0.2mm
Orientation extérieure:	En dehors de l'axe : ° de 4°toward <11-20>±0.5	Longueur plate primaire:	47,5 mm ± 1,5 mm
Mettre en évidence:	Type sic épitaxial substrat de N , gaufrette 150.0mm de 6 pouces , type substrat de 6inch N

le substrat P-SBD de type n de 6inch 4H-SiC évaluent la résistivité MPD≤0.5/cm2 0.015Ω de 350.0±25.0μm•cm-0.025Ω•cm pour la puissance et le Microw

substrat de 6inch 4H-SiC de type n

Aperçu

Actuellement le carbure de silicium (sic) est très utilisé pour des applications de la puissance élevée MMIC. Sic est également employé comme substrat pour la croissance épitaxiale de GaN pour encore des dispositifs de la puissance plus élevée MMIC. Dispositifs à hautes températures. Puisqu'a sic une conduction thermique élevée, absorbe sic la chaleur plus rapidement que d'autres matériaux de semi-conducteur.

Propriété	Catégorie de PMOS	Catégorie de P-SBD	Catégorie de D
Crystal Form	4H
Polytype	Aucun n'a laissé		Area≤5%
(MPD) ^a	≤0.2 /cm2	≤0.5 /cm2	≤5 /cm2
Plats de sortilège	Aucun n'a laissé		Area≤5%
Polycrystal hexagonal	Aucun n'a laissé
Inclusions ^a	Area≤0.05%	Area≤0.05%	NON-DÉTERMINÉ
Résistivité	0.015Ω•cm-0.025Ω•cm	0.015Ω•cm-0.025Ω•cm	0.014Ω•cm-0.028Ω•cm
(EPD) ^a	≤4000/cm2	≤8000/cm2	NON-DÉTERMINÉ
(TED) ^a	≤3000/cm2	≤6000/cm2	NON-DÉTERMINÉ
(Baril par jour) ^a	≤1000/cm2	≤2000/cm2	NON-DÉTERMINÉ
(DST) ^a	≤600/cm2	≤1000/cm2	NON-DÉTERMINÉ
Défaut d'empilement	Secteur de ≤0.5%	Secteur de ≤1%	NON-DÉTERMINÉ
Contamination extérieure en métal	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, manganèse) ≤1E11 cm^-2
Diamètre	150,0 millimètres +0mm/-0.2mm
Orientation extérieure	En dehors de l'axe : ° <11-20>de 4°toward ±0.5
Longueur plate primaire	47,5 millimètres de ± 1,5 millimètres
Longueur plate secondaire	Aucun appartement secondaire
Orientation plate primaire	To±1° parallèle<11-20>
Orientation plate secondaire	NON-DÉTERMINÉ
Misorientation orthogonal	±5.0°
Finition extérieure	C-visage : Polonais optique, SI-visage : CMP
Bord de gaufrette	Tailler
Aspérité (10μm×10μm)	Visage Ra≤0.20 nanomètre de SI ; Visage Ra≤0.50 nanomètre de C
Épaisseur ^a	μm 350.0μm± 25,0
LTV (10mm×10mm) ^a	≤2μm		≤3μm
(TTV) ^a	≤6μm		≤10μm
(ARC) ^a	≤15μm	≤25μm	≤40μm
(Chaîne) ^a	≤25μm	≤40μm	≤60μm
Puces/creux	Aucun n'a laissé la largeur et la profondeur de ≥0.5mm		Largeur et profondeur de Qty.2 ≤1.0 millimètre
Éraflures ^a (Visage de SI, CS8520)	≤5 et diamètre cumulatif de Length≤0.5×Wafer		≤5 et Length≤1.5×Wafer cumulatif Diamètre
TUA (2mm*2mm)	≥98%	≥95%	NON-DÉTERMINÉ
Fissures	Aucun n'a laissé
Contamination	Aucun n'a laissé
Propriété	Catégorie de PMOS	Catégorie de P-SBD	Catégorie de D
Exclusion de bord	3mm

Remarque : l'exclusion de bord de 3mm est employée pour les articles identifiés par ^l'A.

Au sujet de nous

Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.

FAQ

Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
Généralement c'est de 3-5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est de 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, il est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <> >=5000USD, 80% T/T de paiement à l'avance, équilibre avant expédition.

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Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

Sic type substrat de N

GaN Epitaxial Wafer

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Substrat SiC 350um 4H

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CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal