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Détails sur le produit:
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| Politype: | 4h | Diamètre: | 105 ± 0,5 mm |
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| Épaisseur: | 500±50μm | TTV: | ≤15μm |
| Arc (μm) /Warp (μm): | ≤45 | Orientation en cristal: | 4°off-axis toward<11-20>±0.5° |
| Mettre en évidence: | Cristaux de graines de SiC de 6 pouces |
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JDZJ01-001-008 cristal de graine SiC 4 & 6 pouces
Les propriétés physiques et électroniques du SiC en font le matériau semi-conducteur de premier plan pour les dispositifs électroniques optoélectroniques à courte longueur d'onde, à haute température, résistants aux radiations et à haute puissance/haute fréquence.
SiC peut supporter un gradient de tension (ou champ électrique) plus de huit fois supérieur à Si ou GaAs sans subir de claquage par avalanche.Ce champ électrique de claquage élevé permet la fabrication de dispositifs à très haute tension et à forte puissance tels que des diodes, des transistors de puissance, des thyristors de puissance et des parasurtenseurs, ainsi que des dispositifs à micro-ondes à forte puissance.De plus, cela permet aux dispositifs d'être placés très près les uns des autres, offrant une densité d'emballage élevée pour les circuits intégrés.
| Cristal de graine SiC 4 et 6 pouces | ||
| Grade | Niveau S | Niveau S |
| Spécifications du cristal germe | SiC 6" | SiC 6" |
| Diamètre(mm) | 105±0,5 | 153±0,5 |
| Épaisseur(μm) | 500±50 | 350±20 ou 500±50 |
| TTV(μm) | ≤15 | ≤15 |
| BoW(μm)/Warp(μm) | ≤45 | ≤60 |
| Orientation du cristal | 4°hors axe vers<11-20>±0.5° | 4°hors axe vers<11-20>±0.5° |
| Longueur du bord de positionnement principal | 32,5±2,0 | 18.0±2.0 |
| Longueur de la sous-position | 18.0±2.0 | 6.0±2.0 |
| Direction du bord de positionnement |
Face Si : tourner dans le sens des aiguilles d'une montre le long du côté de positionnement principal : 90°±5° Face C : tourner dans le sens antihoraire le long du côté de positionnement principal : 90 ° ± 5 ° |
Face Si : tourner dans le sens des aiguilles d'une montre le long du côté de positionnement principal : 90°±5° Face C : tourner dans le sens antihoraire le long du côté de positionnement principal : 90 ° ± 5 ° |
| Résistivité | 0.01~0.028Ω·cm | 0.01~0.028Ω·cm |
| Rugosité de surface | SSP, polissage du visage C, Ra≤1.0nm | DSP, visage C Ra≤1.0nm |
| Diamètre de la zone monocristalline(mm) | ≥102mm | ≥150mm |
| Densité des microtubules | ≤1/cm2 | ≤1/cm2 |
| Côté repli | ≤1mm | ≤2mm |
| Méthode d'emballage | Emballage en une seule pièce | Emballage en une seule pièce |
| Remarque : La zone monocristalline fait référence à la zone sans fissure ni polytype. | ||
À propos de nous
Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.
FAQ
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Nous sommes usine.
Q : Combien de temps dure votre délai de livraison ?
Généralement, il est de 3 à 5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, c'est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ?est-ce gratuit ou en supplément ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon gratuitement mais ne payons pas les frais de transport.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <=5000USD, 100% à l'avance.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T à l'avance, solde avant expédition.
Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)
Téléphone: +8613372109561
