Aperçu Produits Gaufrette sic épitaxiale

gaufrette sic épitaxiale 6inch

Name: gaufrette sic épitaxiale 6inch
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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GaN Epitaxial Wafer
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Gaufrette sic épitaxiale
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gaufrette sic épitaxiale 6inch

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gaufrette sic épitaxiale 6inch

Image Grand : gaufrette sic épitaxiale 6inch

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	Suzhou Chine
Nom de marque:	GaNova
Certification:	UKAS/ISO9001:2015

Conditions de paiement et expédition:

Détails d'emballage:	Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 25
Délai de livraison:	3-4 jours de la semaine
Conditions de paiement:	T/T

Contact

gaufrette sic épitaxiale 6inch

description de

Crystal Form:	4h	Contamination métallique de surface:	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm-2
Nom de produit:	Gaufrette sic épitaxiale	Diamètre:	150.0mm +0mm/-0.2mm
Orientation extérieure:	En dehors de l'axe : ° de 4°toward <11-20>±0.5	Longueur plate primaire:	± 1.5mm de 47.5mm
Longueur plate secondaire:	Aucun appartement secondaire	Orientation plate primaire:	To<11-20>±1° parallèle
Misorientation orthogonal:	±5.0°
Mettre en évidence:	Gaufrette sic épitaxiale de P-SBD , substrat de 6inch 4H-SiC , Gaufrette sic épitaxiale de type n

En dehors de l'axe de type n de substrat de la catégorie 6inch 4H-SiC de P-SBD : ° <11-20>de 4°toward ±0.5

le substrat P-SBD de type n de 6inch 4H-SiC évaluent la résistivité MPD≤0.5/Cm2 0.015Ω de 350.0±25.0μM•Cm-0.025Ω•cm pour la puissance et le Microw

substrat de 6inch 4H-SiC de type n

Aperçu

Notre hava de société sic une chaîne de production complète de substrat de gaufrette (de carbure de silicium) cristallogénèse de intégration, cristal traitant, gaufrette traitant, polissage, nettoyage et essai. De nos jours nous fournissons sic les gaufrettes 4H et 6H commerciales semi l'isolation et la conductivité dans le sur-axe ou la taille en dehors de l'axe et disponible : 5x5mm2,10x10mm2, 2", 3", 4" et 6", traversant des technologies clé telles que la suppression de défaut, le traitement de cristal de graine et la croissance rapide, favorisant la recherche et développement de base liée à l'épitaxie de carbure de silicium, les dispositifs, etc.

Propriété	Catégorie de PMOS	Catégorie de P-SBD	Catégorie de D
Crystal Form	4H
Polytype	Aucun n'a laissé		Area≤5%
(MPD) ^a	≤0.2 /cm2	≤0.5 /cm2	≤5 /cm2
Plats de sortilège	Aucun n'a laissé		Area≤5%
Polycrystal hexagonal	Aucun n'a laissé
Inclusions ^a	Area≤0.05%	Area≤0.05%	NON-DÉTERMINÉ
Résistivité	0.015Ω•cm-0.025Ω•cm	0.015Ω•cm-0.025Ω•cm	0.014Ω•cm-0.028Ω•cm
(EPD) ^a	≤4000/cm2	≤8000/cm2	NON-DÉTERMINÉ
(TED) ^a	≤3000/cm2	≤6000/cm2	NON-DÉTERMINÉ
(Baril par jour) ^a	≤1000/cm2	≤2000/cm2	NON-DÉTERMINÉ
(DST) ^a	≤600/cm2	≤1000/cm2	NON-DÉTERMINÉ
Défaut d'empilement	Secteur de ≤0.5%	Secteur de ≤1%	NON-DÉTERMINÉ
Contamination extérieure en métal	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, manganèse) ≤1E11 cm^-2
Diamètre	150,0 millimètres +0mm/-0.2mm
Orientation extérieure	En dehors de l'axe : ° <11-20>de 4°toward ±0.5
Longueur plate primaire	47,5 millimètres de ± 1,5 millimètres
Longueur plate secondaire	Aucun appartement secondaire
Orientation plate primaire	To±1° parallèle<11-20>
Orientation plate secondaire	NON-DÉTERMINÉ
Misorientation orthogonal	±5.0°
Finition extérieure	C-visage : Polonais optique, SI-visage : CMP
Bord de gaufrette	Tailler
Aspérité (10μm×10μm)	Visage Ra≤0.20 nanomètre de SI ; Visage Ra≤0.50 nanomètre de C
Épaisseur ^a	μm 350.0μm± 25,0
LTV (10mm×10mm) ^a	≤2μm		≤3μm
(TTV) ^a	≤6μm		≤10μm
(ARC) ^a	≤15μm	≤25μm	≤40μm
(Chaîne) ^a	≤25μm	≤40μm	≤60μm
Puces/creux	Aucun n'a laissé la largeur et la profondeur de ≥0.5mm		Largeur et profondeur de Qty.2 ≤1.0 millimètre
Éraflures ^a (Visage de SI, CS8520)	≤5 et diamètre cumulatif de Length≤0.5×Wafer		≤5 et Length≤1.5×Wafer cumulatif Diamètre
TUA (2mm*2mm)	≥98%	≥95%	NON-DÉTERMINÉ
Fissures	Aucun n'a laissé
Contamination	Aucun n'a laissé
Propriété	Catégorie de PMOS	Catégorie de P-SBD	Catégorie de D
Exclusion de bord	3mm

Remarque : l'exclusion de bord de 3mm est employée pour les articles identifiés par ^l'A.

Au sujet de nous

Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.

FAQ

Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
Généralement c'est de 3-5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est de 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, il est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <> >=5000USD, 80% T/T de paiement à l'avance, équilibre avant expédition.

Produit Tag:

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

gaufrette sic épitaxiale 6inch

GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

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Plaquette Ga2O3

gaufrette de silicium

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modelée

Support de gaufrette de téflon

Machine à découper les plaquettes

Substrat SiC 350um 4H

Sic type substrat de N

gaufrette sic épitaxiale 6inch

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gaufrette sic épitaxiale 6inch

Gaufrette sic épitaxiale de P-SBD

substrat de 6inch 4H-SiC

Gaufrette sic épitaxiale de type n

Gaufrettes épitaxiales de carbure de silicium,

type gaufrette sic épitaxiale,

visage sic épitaxial de N de la gaufrette C

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal