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Aperçu ProduitsGaufrette de nitrure en aluminium

Rugosité Ra<1.5nm d'AIN On Aluminum Nitride Wafer

Certificat
LA CHINE Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certifications
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Rugosité Ra<1.5nm d'AIN On Aluminum Nitride Wafer

Rugosité Ra&lt;1.5nm d'AIN On Aluminum Nitride Wafer
Rugosité Ra&lt;1.5nm d'AIN On Aluminum Nitride Wafer

Image Grand :  Rugosité Ra<1.5nm d'AIN On Aluminum Nitride Wafer

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Suzhou Chine
Nom de marque: GaNova
Certification: UKAS/ISO9001:2015
Numéro de modèle: JDWY01-001-003
Conditions de paiement et expédition:
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 25
Conditions de paiement: T/T

Rugosité Ra<1.5nm d'AIN On Aluminum Nitride Wafer

description de
Épaisseur: [1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm Orientation: Plan C (0001)±1˚
Type de conduction: Semi-isolant Zone d'exclusion de bord: <2mm
Nom de produit: Gaufrette de nitrure en aluminium XRD FWHM de (102): ≤650arcsec, ≤550arcsec, ≤450arcsec, ≤400arcsec
Mettre en évidence:

AIN On Aluminum Nitride Wafer

,

substrat 1um de nitrure en aluminium

,

Gaufrette 2um de nitrure en aluminium

Ra de rugosité du C-avion (0001) ±1o AIN On Sapphire Wafer Surface<1>

Μm AIN On Sapphire Wafer, SSP, XRD FWHM de la couche épaisse de 2 pouces (2,3) (002) de puce UV de la désinfection LED de ≤100arcsec (102) ≤550arcsec

Aperçu

Sans compter que sa bonne conduction thermique, la nitrure en aluminium est également un bon isolateur électrique. Elle peut être employée dans une grande variété d'applications exigeant l'isolation électrique supérieure. On le connaît également pour que sa capacité résiste à la corrosion. Tandis que la plupart des utilisations communes de la nitrure en aluminium sont dans l'industrie électronique, on le trouve de plus en plus dans le domaine de la microélectronique. Dans la microélectronique, il est en particulier dû utile à sa conduction thermique élevée, qui est peu commune pour un isolateur électrique.

Spécifications

Article AlN-T-C-U-C50
Dimensions φ50.8 mm±0.1 millimètre, DE (1-100), Al Face, localisant le bord 16.0± 1,0 millimètres
Substrat Saphir (latéraux simples ou doubles polis)
Épaisseur 1~5μm
Orientation

C-avion (0001) ±1o

Type de conduction Semi-isolant
Qualité cristalline Épaisseur XRD FWHM de (002) XRD FWHM de (102)
[μm de 1,2) ≤80arcsec ≤650arcsec
[μm de 2,3) ≤100arcsec ≤550arcsec
[μm de 3,4) ≤120arcsec ≤450arcsec
[μm de 4,5) ≤160arcsec ≤400arcsec
Zone d'exclusion de bord

<2mm>

Aspérité Ra<1>
Paquet Vide emballant dans un environnement de pièce propre de la classe 10000, dans des cassettes de 25pcs ou de conteneurs simples de gaufrette.

Au sujet de nous

Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.

FAQ

Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
Généralement c'est de 3-5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est de 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, il est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <> >=5000USD, 80% T/T de paiement à l'avance, équilibre avant expédition.

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

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