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GaN Epitaxial Wafer
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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrats de diamant CVD
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Système de recuit thermique rapide
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Gaufrette de nitrure en aluminium
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Sapphire Substrates modelée
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Support de gaufrette de téflon
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Machine à découper les plaquettes
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polished sapphire wafers fabrication en ligne

(49)

Sapphire Wafer polie par miroir EPI Front Surface prêt
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2023-02-17 10:45:27

1inch nitrure en aluminium AlN Crystal Sapphire Wafer simple 400um
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2022-09-27 15:37:46

Plan C AIN sur plaquette de saphir simple ou double face poli
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2022-09-27 15:39:11

2 pouces isolant semi l'avion d'AIN Sapphire Single Crystal Wafer C
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2022-09-27 15:43:34

GaN dopé UID de type N de 4 pouces sur tranche de saphir Résistivité SSP > 0,5 Ω cm LED, laser, plaquette épitaxiale PIN
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2025-04-04 22:43:54

AIN Sapphire Wafer Sapphire Single semi isolant ou le double côté a poli
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2024-10-29 11:49:58

Une orientation de surface plane Plaquette de saphir polie miroir EPI Ready
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2023-02-17 10:18:27

Plaquette de nitrure d'aluminium à couche épaisse de 2 pouces AIN sur le visage d'Al de plaquette de saphir
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2022-09-27 15:40:34

Couche épaisse 2um 3um AIN sur plaquette de saphir semi-isolant de 2 pouces
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2022-09-27 15:35:22

$acheter JDWY01-001-007 Couche épaisse de 2 pouces (4,5) Um AIN sur plaquette de saphir, SSP, XRD FWHM de (002) ≤ 160 arcsec \ (102) ≤ 400 arcsec en ligne fabricant$

JDWY01-001-007 Couche épaisse de 2 pouces (4,5) Um AIN sur plaquette de saphir, SSP, XRD FWHM de (002) ≤ 160 arcsec \ (102) ≤ 400 arcsec
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2025-04-04 22:43:09

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GaN Epitaxial Wafer

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GaN dopé UID de type N de 4 pouces sur tranche de saphir Résistivité SSP > 0,5 Ω cm LED, laser, plaquette épitaxiale PIN
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal