• French
    English
    French
    German
    Italian
    Russian
    Spanish
    Portuguese
    Dutch
    Greek
    Japanese
    Korean
    Arabic
    Turkish
    Polish
Demande de soumission |
Aperçu ProduitsGaufrette de nitrure en aluminium

ALN 10*10mm2 AlN monocristallin 400±50μM Grade S/P/R

Tous les produits

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Gaufrette sic épitaxiale

(39)

GaAs Epi Wafer

(15)

Substrats de diamant CVD

(15)

Système de recuit thermique rapide

(2)

Testeur de capteur à effet Hall

(3)

Gaufrette de nitrure en aluminium

(21)

Puce de diode laser

(10)

Cristal de carbure de silicium

(12)

Plaquette Ga2O3

(13)

gaufrette de silicium

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Sapphire Substrates modelée

(10)

Support de gaufrette de téflon

(1)

Machine à découper les plaquettes

(5)
Certificat
LA CHINE Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certifications
Je suis en ligne une discussion en ligne

ALN 10*10mm2 AlN monocristallin 400±50μM Grade S/P/R

ALN 10*10mm2 AlN monocristallin 400±50μM Grade S/P/R
ALN 10*10mm2 AlN monocristallin 400±50μM Grade S/P/R

Image Grand :  ALN 10*10mm2 AlN monocristallin 400±50μM Grade S/P/R

Détails sur le produit:
Nom de marque: GaNova
Numéro de modèle: JDCD02-001-004
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 25
Conditions de paiement: T/T
Contact

ALN 10*10mm2 AlN monocristallin 400±50μM Grade S/P/R

description de
Diamètre: 10mmx10mm Épaisseur (μm): 400±50
forme en cristal: 2 heures Polytype: {0001}±0,5 °
Roughness (graisseuse): Visage d'Al : visage de ≤0.5nm N (arrière) : ≤1.2μm Polonais extérieur: Surface en aluminium : polissage chimique (double
Mettre en évidence:

plaquettes de nitrure d'aluminium ALN

,

plaquettes de nitrure d'aluminium 2H

,

Plaquettes en aluminium de 10*10 mm2

Le substrat AlN est l'un des substrats céramiques les plus populaires qui présente une excellente résistance à la chaleur, une résistance mécanique élevée, une résistance à l'abrasion et une faible perte diélectrique.La surface du substrat AlN est assez lisse et de faible porosité.Le nitrure d'aluminium a une conductivité thermique plus élevée, comparée au substrat d'alumine, elle est environ 7 à 8 fois élevée.Le substrat AlN est un excellent matériau de boîtier électronique.

Un film mince de nitrure d'aluminium est une couche d'aluminium qui résiste aux hautes températures.Lors de températures élevées, cette couche d'aluminium aidera à protéger le matériau.Dans les environnements à haute pression, il peut être instable.Il peut supporter une plage de températures allant jusqu'à 980 degrés Celsius.À des niveaux inférieurs, il peut être toxique pour les humains.Il est également utilisé dans les téléphones portables.Ses propriétés sont extrêmement diverses.

 

 

10*10mm2 Substrat monocristallin en nitrure d'aluminium
Spécifications du cristal Valeur du paramètre
Diamètre(mm) 10x10
Épaisseur(μm) 400±50
Forme de cristal 2H
Polytype {0001}±0,5 °
Polissage superficiel Surface en aluminium : polissage chimique (le double polissage peut être personnalisé)
Rugosité

Visage d'Al :≤0.5nm

N face (arrière):≤1.2μm
apparence forme carree
Degré de qualité Catégorie S (Super) Catégorie P (Production) Note R (Recherche)
HRXRD Largeur mi-hauteur@{0002}(arcsec) ≤150 ≤300 ≤500
HRXRD Largeur mi-hauteur@{10-12}(arcsec) ≤100 ≤200 ≤400
coefficient d'absorption@265nm(cm-1) ≤50 ≤70 ≤100
Exclusion de bord(mm) 1 1 1
Retraits 无 无 无
Puces 无 无 ≤3 Cumulatif ≤1.0mm
TU ≥90%
TTV(μm) ≤30
Chaîne (μm) ≤30
Arc(μm) ≤30

Fissures

 

 Non, à l'œil nu, forte lumière
Contamination Non, œil nu, rayonnement
emballer Boîte à plaquettes monolithique

 

À propos de nous

Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.

 

 

FAQ

Q : Êtes-vous une société commerciale ou un fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : Combien de temps dure votre délai de livraison ?
Généralement, il est de 3 à 5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, c'est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ?est-ce gratuit ou en supplément ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon gratuitement mais ne payons pas les frais de transport.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <=5000USD, 100% à l'avance.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T à l'avance, solde avant expédition.

 

 

 
Étiqueter:

Nitrure d'aluminium saphir Wa,

Plaquette de nitrure d'aluminium ISO,

tranches de saphir polies

Produit Tag:

Sapphire Aluminum Nitride Wa,

OIN de gaufrette de nitrure en aluminium,

gaufrettes polies de saphir

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)

À propos

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal

LAISSEZ UN MESSAGE

Politique de confidentialité | LA CHINE Bon Qualité GaN Epitaxial Wafer Fournisseur. © 2023 - 2025 epi-wafers.com. All Rights Reserved.