French

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Turkish

Polish

Demande de soumission |

Aperçu Produits

Gaufrette sic épitaxiale

Les Meilleurs Produits

Substrat SiC 350um 4H

Substrat SiC 350um 4H

Sic type substrat de N

Sic type substrat de N

gaufrette sic épitaxiale 6inch

gaufrette sic épitaxiale 6inch

LA CHINE Gaufrette sic épitaxiale

4 pouces d'uGaN sur le nitrure de gallium non dopé de silicium sur la gaufre épitaxienne de silicium

Dimension:4inch

L'équipement doit être équipé d'un dispositif d'éclairage.:< 550 sec arc

Bicristalline102:< 550 sec arc
4 pouces de GaN sur la plaque de silicone verte LED Epi plaquettes SiC plaquettes épitaxielles

Quantité de commande min:5

Prix:1000

Détails d'emballage:Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans le conteneur 25PCS, sous une at
4 pouces de GaN sur la plaque de silicone verte LED Epi plaquettes SiC plaquettes épitaxielles

Quantité de commande min:5

Prix:1000

Détails d'emballage:Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans le conteneur 25PCS, sous une at

Page 4 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

Parcourir les catégories：

À propos

GaN Epitaxial Wafer: le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI; Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm; Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale: Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um; bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um; CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal

LAISSEZ UN MESSAGE

Politique de confidentialité | LA CHINE Bon Qualité GaN Epitaxial Wafer Fournisseur. © 2023 - 2025 epi-wafers.com. All Rights Reserved.