LA CHINE Gaufrette sic épitaxiale

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  4 pouces de GaN sur la plaque de silicone verte LED Epi plaquettes SiC plaquettes épitaxielles

  Quantité de commande min:5

  Prix:1000

  Détails d'emballage:Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans le conteneur 25PCS, sous une at

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  niveau P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω de substrat de 4inch 4H-SiC·cm pour la puissance et la micro-onde

  Nom de produit:Gaufrette sic épitaxiale

  Diamètre:100.0mm+0.0/-0.5mm

  Orientation extérieure:{0001}±0,2 °

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  Substrat 4H-SiC 4 pouces niveau P SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 résistivité≥1E9Ω·Cm pour alimentation et micro-ondes

  Nom de produit:Gaufrette sic épitaxiale

  Diamètre:100.0mm+0.0/-0.5mm

  Orientation extérieure:{0001}±0,2 °

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