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Gaufrette sic épitaxiale

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Substrat SiC 350um 4H

Sic type substrat de N

gaufrette sic épitaxiale 6inch

LA CHINE Gaufrette sic épitaxiale

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal

Nom de produit:Gaufrette sic épitaxiale

Crystal Form:4h

Finition extérieure:C-visage : Polonais optique, SI-visage : CMP
Substrat 4H-SiC 4 pouces Niveau P Type N 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Résistivité 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm

Nom de produit:Gaufrette sic épitaxiale

Crystal Form:4h

Diamètre:100.0mm+0.0/-0.5mm
Dispositif de puissance de 2 pouces Transistor à haute mobilité électronique Wafer épitaxial

Les dimensions:2 pouces

Résistance ((300K):Pour les appareils à commande numérique

Concentration d'électrons:> 1 800 cm2/V·S
GaN de 2 pouces sur la gaufre en silicium HEMT Epi pour le dispositif de puissance

Les dimensions:2 pouces

Résistance ((300K):Pour les appareils à commande numérique

Concentration d'électrons:> 1 800 cm2/V·S
6 pouces GaN sur le silicium HEMT Epi Wafer Power Device Nitrure de gallium GaN sur le Si

Les dimensions:6 pouces

Résistance ((300K):Pour les appareils à commande numérique

Concentration d'électrons:> 9,0E12 cm-2
L'éclairage LED bleu GaN sur la plaque de silicium

Dimension:2 à 4 pouces

Quantité de commande min:5

Détails d'emballage:Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans le conteneur 25PCS, sous une at
2 pouces GaN sur le silicium vert LED Epi wafer Nitrure de gallium sur le silicium

Dimension:2 pouces

Quantité de commande min:5

Détails d'emballage:Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans le conteneur 25PCS, sous une at
2 pouces GaN sur le silicium bleu LD Epi Wafer GaN laser bleu sur le silicium

Dimension:2 pouces

Quantité de commande min:5

Détails d'emballage:Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans le conteneur 25PCS, sous une at
GaN laser violet sur le silicium 2 pouces GaN sur le silicium HEMT Epi plaque UV LD Epi plaque

Les dimensions:2 pouces

Intellectuel:non connu

Perte interne:inconnu
Barrière d'AlGaN 4 pouces GaN sur le silicium HEMT Epi wafer nitrure de gallium GaN-sur-Si

Les dimensions:2 pouces

Résistance ((300K):Pour les appareils à commande numérique

Concentration d'électrons:> 9,0E12 cm-2
4 pouces d'uGaN sur le nitrure de gallium non dopé de silicium sur la gaufre épitaxienne de silicium

Dimension:4inch

L'équipement doit être équipé d'un dispositif d'éclairage.:< 550 sec arc

Bicristalline102:< 550 sec arc
4 pouces de GaN sur la plaque de silicone verte LED Epi plaquettes SiC plaquettes épitaxielles

Quantité de commande min:5

Prix:1000

Détails d'emballage:Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans le conteneur 25PCS, sous une at

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Substrat 4H-SiC 4 pouces Niveau P Type N 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Résistivité 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm

Dispositif de puissance de 2 pouces Transistor à haute mobilité électronique Wafer épitaxial

GaN de 2 pouces sur la gaufre en silicium HEMT Epi pour le dispositif de puissance

6 pouces GaN sur le silicium HEMT Epi Wafer Power Device Nitrure de gallium GaN sur le Si

L'éclairage LED bleu GaN sur la plaque de silicium

2 pouces GaN sur le silicium vert LED Epi wafer Nitrure de gallium sur le silicium

2 pouces GaN sur le silicium bleu LD Epi Wafer GaN laser bleu sur le silicium

GaN laser violet sur le silicium 2 pouces GaN sur le silicium HEMT Epi plaque UV LD Epi plaque

Barrière d'AlGaN 4 pouces GaN sur le silicium HEMT Epi wafer nitrure de gallium GaN-sur-Si

4 pouces d'uGaN sur le nitrure de gallium non dopé de silicium sur la gaufre épitaxienne de silicium

4 pouces de GaN sur la plaque de silicone verte LED Epi plaquettes SiC plaquettes épitaxielles

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal