Dimensions:φ50,8 mm ± 0,1 mm, OF (1-100), face Al, bord de localisation 16,0 ± 1,0 mm
Substrat:Saphir (latéraux simples ou doubles polis)
Orientation:Plan C (0001)±1˚
Nom de produit:Monocristal d'AlN
Rugosité:Face Al:≤0.5nm N face (arrière):≤1.2μm
Aspect:Bord de positionnement circulaire de la bande
Nom de produit:Monocristal d'AlN
Diamètre (millimètres):10x10
Épaisseur (μm):400±50
Dimensions:φ50,8 mm ± 0,1 mm, OF (1-100), face Al, bord de localisation 16,0 ± 1,0 mm
Substrat:Saphir (latéraux simples ou doubles polis)
Épaisseur:[1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm
Dimensions:φ50,8 mm ± 0,1 mm, OF (1-100), face Al, bord de localisation 16,0 ± 1,0 mm
Substrat:Saphir (latéraux simples ou doubles polis)
Orientation:Plan C (0001)±1o
Dimensions:φ50,8 mm ± 0,1 mm, OF (1-100), face Al, bord de localisation 16,0 ± 1,0 mm
Substrat:Saphir (latéraux simples ou doubles polis)
Épaisseur:[1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm
forme en cristal:2 heures
Épaisseur:400±50
Roughness (graisseuse):Visage d'Al : visage de ≤0.5nm N (arrière) : ≤1.2μm
Diamètre:10mmx10mm
Épaisseur (μm):400±50
forme en cristal:2 heures
Épaisseur:[1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm
Orientation:Plan C (0001)±1o
Type de conduction:Semi-isolant