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led sapphire substrate r9 fabrication en ligne

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acheter Plaquette de saphir de type R de 50 mm d'épaisseur 420 μm de longueur (mm) Puce de 16 LED en ligne fabricant

Plaquette de saphir de type R de 50 mm d'épaisseur 420 μm de longueur (mm) Puce de 16 LED
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50mm Sapphire Substrate Wafer High Purity Al2O3(＞99.995%) Thickness 430 ± 10 μm JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430um, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED chip... Lire la suite
2023-02-17 11:23:22
acheter Optoélectronique Polissage Saphir Cristal Wafer Type R en ligne fabricant

Optoélectronique Polissage Saphir Cristal Wafer Type R
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Thk 430μm 50mm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 ... Lire la suite
2023-02-17 11:22:48
acheter Une orientation de surface plane Plaquette de saphir polie miroir EPI Ready en ligne fabricant

Une orientation de surface plane Plaquette de saphir polie miroir EPI Ready
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A-Plane(11-20) Surface Orientation Sapphire Wafer Front Surface Quality Mirror Polished,EPI-Ready JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 ... Lire la suite
2023-02-17 10:18:27
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À propos

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal

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